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LDTC123JM3T5G 发布时间 时间:2025/8/13 14:14:12 查看 阅读:12

LDTC123JM3T5G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于通用放大和开关应用,具有良好的高频响应和较低的饱和电压,使其适用于各种电子电路设计。LDTC123JM3T5G采用SOT-23封装,体积小巧,适合在空间受限的电路板中使用。

参数

类型:NPN晶体管
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大集电极-发射极电压(VCE):30V
  最大集电极-基极电压(VCB):50V
  最大功耗(PD):300mW
  电流增益(hFE):110至800(取决于测试条件)
  频率响应(fT):100MHz
  封装类型:SOT-23

特性

LDTC123JM3T5G具有优异的电气性能和稳定性,适用于广泛的电子应用。该晶体管的电流增益范围较宽,通常在110至800之间,具体取决于工作条件,这使得它可以在不同放大需求的电路中使用。此外,LDTC123JM3T5G的频率响应可达100MHz,表明其在高频放大电路中表现良好。
  该晶体管的最大集电极电流为100mA,适用于低至中功率的开关和放大电路。其集电极-发射极电压最大为30V,集电极-基极电压为50V,能够满足大多数低压电子设备的需求。LDTC123JM3T5G的低饱和电压特性有助于减少能量损耗,提高电路效率。
  由于其采用SOT-23封装,LDTC123JM3T5G非常适合在空间受限的应用中使用,例如便携式电子设备和小型电路板。这种封装还提供了良好的热性能,确保晶体管在正常工作条件下能够稳定运行。

应用

LDTC123JM3T5G广泛应用于各类电子设备和电路中,包括音频放大器、信号处理电路、电源管理模块、传感器接口电路等。由于其高频响应特性,该晶体管也常用于射频(RF)和通信电路中的放大和混频操作。此外,LDTC123JM3T5G适用于数字电路中的开关操作,例如在微控制器和逻辑电路中控制负载的通断。
  在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,LDTC123JM3T5G可用于音频放大和信号调节。在工业控制领域,该晶体管可以用于传感器信号放大和继电器驱动电路。此外,它还可以在测试设备和测量仪器中作为关键的放大元件。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N2222

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