类型：NPN 双极性晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　封装类型：SOT-23
　　内置基极电阻：10kΩ
　　发射极电阻：10kΩ

LDTB123ELT1G 晶体管的一个关键特性是其集成了基极-发射极电阻器，这使得在数字开关应用中无需额外的偏置电阻，从而减少了电路板上的元件数量和空间占用。这种集成特性对于简化设计和提高系统可靠性非常有帮助。
　　此外，LDTB123ELT1G 的 VCEO 额定值为 100V，能够承受较高的电压应力，适合用于中等电压级别的开关应用。其最大集电极电流为 100mA，适用于中等电流驱动的场景，例如继电器、LED 驱动器和小型电机控制电路。
　　该器件的增益带宽积（fT）为 250MHz，表明它可以在较高的频率下工作，适合用于中频放大器或高速开关电路。LDTB123ELT1G 的 SOT-23 小型封装不仅节省空间，还支持表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和电路板的可靠性。
　　该晶体管的热性能也经过优化，能够在高温环境下稳定运行。工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其适用于各种恶劣的工业和汽车环境。此外，其低饱和电压（VCE(sat)）特性确保在导通状态下功耗较低，提高了整体能效。

LDTB123ELT1G 的应用范围广泛，主要集中在需要中等功率和频率操作的电子设备中。例如，它常用于数字电路中的开关元件，控制 LED、小型继电器、蜂鸣器等负载。由于其集成的基极电阻，LDTB123ELT1G 在微控制器输出端的接口电路中非常常见，能够直接由数字信号驱动而无需额外的限流电阻。
　　在模拟电路中，LDTB123ELT1G 可用于构建中频放大器、音频放大器前置级或电压调节电路。其较高的 fT 值使其适用于需要快速响应的放大器设计，例如射频（RF）前端电路中的信号放大。
　　在工业控制和自动化系统中，该晶体管可用于驱动继电器或光耦合器，实现高压或大电流负载的隔离控制。同时，它也适用于电池供电设备，如手持仪器、遥控器和智能传感器，这些设备要求元件具有低功耗、小尺寸和高可靠性。
　　在汽车电子领域，LDTB123ELT1G 可用于车身控制模块、车灯驱动、仪表盘显示控制等应用，满足汽车环境对温度范围和可靠性的严格要求。

MMBT3904LT1G, BC847B, 2N3904