类型：光耦合器
　　电流传输比（CTR）：50%至600%（典型值）
　　正向电流（IF）：最大50 mA
　　集电极-发射极电压（VCE）：最大30 V
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　封装类型：DIP-4
　　绝缘电压：5000 Vrms
　　响应时间：约4 μs

EL817S1C(TA) 光耦合器具有多个关键特性，使其在各类应用中表现出色。首先，其高电流传输比（CTR）确保了在输入和输出之间高效的信号传输，适用于需要高精度信号隔离的场合。其次，该器件具备优异的绝缘性能，其绝缘电压高达5000 Vrms，能够在高电压环境下提供可靠的电气隔离，保护后级电路免受损坏。此外，EL817S1C(TA) 具有较宽的工作温度范围（-55°C至+125°C），使其适用于各种恶劣环境条件，如工业控制和汽车电子系统。其响应时间约为4 μs，适合需要快速响应的高频信号传输应用。EL817S1C(TA) 采用DIP-4封装，便于在印刷电路板上安装和焊接，同时也便于维护和更换。该器件的低功耗设计和高可靠性使其成为许多电子系统中的理想选择。

EL817S1C(TA) 主要应用于需要电气隔离和信号传输的场景。在工业自动化系统中，该光耦合器常用于PLC（可编程逻辑控制器）和工业计算机中，以隔离控制信号并防止干扰。在电源管理系统中，EL817S1C(TA) 可用于反馈控制，确保电源模块的稳定性和安全性。在通信设备中，该器件可用于隔离不同电路之间的信号传输，以防止接地回路和噪声干扰。此外，EL817S1C(TA) 还广泛应用于家电、医疗器械和汽车电子系统中，提供可靠的电气隔离和信号传输解决方案。

TLP521-1, PC817, HCPL-2631