类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时，典型值为70-700（根据不同的等级划分）
　　频率响应：最大频率（fT）为100MHz
　　封装类型：SOT-23

LDTB114EWT1G晶体管具有以下显著特性：
　　1. 高电流增益（hFE）：该晶体管在不同工作电流下提供较高的电流放大倍数，典型值范围从70到700，这使其非常适合用于信号放大和开关应用。
　　2. 高频性能：晶体管的最大频率（fT）为100MHz，这意味着它可以在高频环境下保持良好的性能，适用于射频和高速开关电路。
　　3. 低饱和电压（Vce_sat）：当晶体管处于导通状态时，集电极与发射极之间的饱和电压较低，这有助于减少功率损耗并提高电路效率。
　　4. 小型封装：采用SOT-23封装，体积小、重量轻，适合高密度PCB设计，同时支持表面贴装工艺，提高了生产效率。
　　5. 宽工作温度范围：该器件能够在较宽的温度范围内稳定工作，通常为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用。
　　6. 高可靠性：LDTB114EWT1G晶体管采用先进的制造工艺，确保了长期工作的稳定性和可靠性，适合用于工业和汽车电子系统。

LDTB114EWT1G晶体管由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多种电子电路中。常见的应用包括：
　　1. 开关电路：由于其高电流增益和低饱和电压特性，LDTB114EWT1G常用于数字开关电路中，例如控制LED、继电器、电机等负载。
　　2. 放大电路：该晶体管可用于音频放大器、射频放大器以及信号处理电路中的前置放大级，提供良好的信号增益和稳定性。
　　3. 逻辑电平转换：在数字电路中，LDTB114EWT1G可用于将不同电压电平的信号进行转换，从而实现不同逻辑电平之间的接口兼容。
　　4. 传感器接口：在传感器电路中，该晶体管可以用于信号放大或作为开关元件，将传感器输出的微弱信号转换为可用的电压或电流信号。
　　5. 电源管理：LDTB114EWT1G也可用于DC-DC转换器、电池充电电路等电源管理应用中，帮助实现高效的能量传输和控制。
　　6. 工业自动化：在工业控制系统中，该晶体管可用于控制执行机构（如电磁阀、伺服电机等），实现对设备的精确控制。

BC847系列, 2N3904, PN2222A, MMBT3904, 2N2222A