晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：150mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　基极-发射极电压（VEBO）：5V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　电流增益（hFE）：80 @ IC=2mA, VCE=5V
　　截止频率（fT）：100MHz
　　输入电阻（R1）：10kΩ
　　输出电阻（R2）：10kΩ

LDTB113ZWT1G 数字晶体管具有多项显著特性，适用于广泛的数字开关和逻辑控制应用。
　　首先，其内部集成的基极和发射极电阻，简化了外围电路的设计，减少了元件数量，提高了电路的可靠性。这使得 LDTB113ZWT1G 在数字电路中可以作为逻辑电平转换器或缓冲器使用，降低了设计复杂度。
　　其次，该晶体管的 hFE（电流增益）为 80，在低电流条件下仍能保持良好的放大性能，适合用于低功耗信号放大和开关应用。其截止频率（fT）为 100MHz，表明其具备良好的高频响应能力，适用于中高频范围的开关控制。
　　此外，LDTB113ZWT1G 的最大集电极电流为 100mA，VCEO 为 50V，使其能够承受一定的负载电流和电压，适用于小型继电器驱动、LED 控制、逻辑电路和传感器接口等应用。SOT-323 封装体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的热稳定性和机械强度。
　　该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

LDTB113ZWT1G 主要应用于数字电路中的开关控制、电平转换和信号缓冲。
　　常见应用包括：微控制器 I/O 接口的扩展，用于驱动 LED、小型继电器、蜂鸣器等负载；作为逻辑电平转换器，将低电压逻辑信号（如 3.3V）转换为较高电压信号（如 5V 或 12V）以驱动外部设备；在传感器接口电路中，用于信号放大和开关控制。
　　由于其集成电阻的特性，LDTB113ZWT1G 在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中也广泛应用，用于降低电路复杂度和 PCB 空间占用。此外，它还可用于电源管理电路、电池充电控制电路以及工业自动化设备中的数字信号处理。

LDTB113ZLT1G, LDTB113ZEPT1G