DF75AA160 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。这款晶体管专为高电流和高电压应用设计,适用于电源管理、电机控制以及工业自动化设备中。DF75AA160采用先进的制造工艺,具有优异的导通性能和低损耗特性,能够在较高的工作温度下保持稳定运行。其封装形式为TO-220,便于散热和安装。
类型: N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds): 60V
最大栅源电压(Vgs): ±20V
最大连续漏极电流(Id): 75A
导通电阻(Rds(on)): 2.7mΩ
功耗(Pd): 250W
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
封装类型: TO-220
DF75AA160 MOSFET具备多项优异特性,使其在工业和高功率应用中表现出色。首先,它的导通电阻非常低,仅为2.7mΩ,这意味着在导通状态下功耗极低,有助于提高系统的整体效率。此外,该器件的漏源电压最大为60V,能够承受较大的电压应力,适用于多种电源管理场景。DF75AA160还具有较高的连续漏极电流能力(75A),可在高负载条件下稳定工作。
该晶体管的栅源电压范围为±20V,提供了较大的控制灵活性,同时避免因过高的栅极电压而导致损坏。DF75AA160的封装形式为TO-220,这种封装不仅便于安装,还具有良好的散热性能,能够有效降低工作温度,延长器件的使用寿命。此外,该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C,适应性广泛,可以在极端环境下正常运行。
DF75AA160 MOSFET广泛应用于多个领域,包括工业控制、电源管理系统、电机驱动器、DC-DC转换器以及电池充电设备等。在电源管理应用中,DF75AA160可用于高效能的同步整流器或负载开关,以提升电源转换效率。在电机控制系统中,该器件能够承受较大的电流和电压波动,确保电机运行平稳。此外,DF75AA160也适用于高功率LED驱动电路和不间断电源(UPS)系统,其优异的导通性能和散热设计使其成为高可靠性应用的理想选择。
Si7410DP, IRF1405, FDP7410, STP75NF75