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DF75AA160 发布时间 时间:2025/8/23 20:13:03 查看 阅读:21

DF75AA160 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。这款晶体管专为高电流和高电压应用设计,适用于电源管理、电机控制以及工业自动化设备中。DF75AA160采用先进的制造工艺,具有优异的导通性能和低损耗特性,能够在较高的工作温度下保持稳定运行。其封装形式为TO-220,便于散热和安装。

参数

类型: N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds): 60V
  最大栅源电压(Vgs): ±20V
  最大连续漏极电流(Id): 75A
  导通电阻(Rds(on)): 2.7mΩ
  功耗(Pd): 250W
  工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  封装类型: TO-220

特性

DF75AA160 MOSFET具备多项优异特性,使其在工业和高功率应用中表现出色。首先,它的导通电阻非常低,仅为2.7mΩ,这意味着在导通状态下功耗极低,有助于提高系统的整体效率。此外,该器件的漏源电压最大为60V,能够承受较大的电压应力,适用于多种电源管理场景。DF75AA160还具有较高的连续漏极电流能力(75A),可在高负载条件下稳定工作。
  该晶体管的栅源电压范围为±20V,提供了较大的控制灵活性,同时避免因过高的栅极电压而导致损坏。DF75AA160的封装形式为TO-220,这种封装不仅便于安装,还具有良好的散热性能,能够有效降低工作温度,延长器件的使用寿命。此外,该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C,适应性广泛,可以在极端环境下正常运行。

应用

DF75AA160 MOSFET广泛应用于多个领域,包括工业控制、电源管理系统、电机驱动器、DC-DC转换器以及电池充电设备等。在电源管理应用中,DF75AA160可用于高效能的同步整流器或负载开关,以提升电源转换效率。在电机控制系统中,该器件能够承受较大的电流和电压波动,确保电机运行平稳。此外,DF75AA160也适用于高功率LED驱动电路和不间断电源(UPS)系统,其优异的导通性能和散热设计使其成为高可靠性应用的理想选择。

替代型号

Si7410DP, IRF1405, FDP7410, STP75NF75

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DF75AA160参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥399.88000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 二极管类型Three Phase
  • 技术标准
  • 电压 - 峰值反向(最大值)1.6 kV
  • 电流 - 平均整流 (Io)75 A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.4 V @ 75 A
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 mA @ 1600 V
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装-