时间：2025/8/1 20:14:49
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PT4515BHEHSG是一款由Polytron Technologies Inc.制造的功率晶体管（MOSFET），主要用于高功率应用，如电源管理和电机控制。该器件采用先进的硅技术制造，具有高效能和高可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。
类型：功率MOSFET
最大漏极电流：15A
最大源极电流：15A
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约7.5mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
PT4515BHEHSG具备低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和高耐压特性使其非常适合用于高功率密度设计。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。器件的快速开关特性也使其在高频应用中表现出色，如DC-DC转换器和同步整流器等。
该器件还具有较低的栅极电荷，从而降低了开关损耗，并提高了整体系统的响应速度。PT4515BHEHSG的封装设计也有助于有效的散热管理，使其在高负载条件下依然保持稳定。
PT4515BHEHSG广泛应用于多个领域，包括但不限于电源供应器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统。此外，它也常用于工业自动化设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中的高功率管理电路。
SiR142DP-T1-GE3, FDP6675, IRF1405PBF
