时间：2025/6/17 1:18:29
阅读：4
ZXM61O02F是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，旨在为开关电源、电机驱动、负载切换等应用提供高效率和低损耗的解决方案。其出色的导通电阻和快速开关特性使其非常适合高频开关应用。
该芯片具有较高的电流处理能力，并且具备优异的热性能，能够承受一定的功率损耗。此外，ZXM61O02F封装小巧，便于在紧凑型设计中使用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：95A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：3000pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
ZXM61O02F具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用，减少开关损耗。
3. 较高的电流承载能力，满足大功率应用需求。
4. 紧凑的封装形式，便于在空间受限的设计中使用。
5. 广泛的工作温度范围，确保在恶劣环境下的稳定运行。
6. 高可靠性设计，支持长期稳定运行。
ZXM61O02F适用于多种工业及消费类电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 负载切换电路
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子中的DC/DC转换器
由于其高性能表现，该MOSFET尤其适用于需要高效能量转换和高功率密度的场合。
ZXM60F02T, ZXM61P02F
