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LDTA144VLT1G 发布时间 时间:2025/8/13 21:45:04 查看 阅读:31

LDTA144VLT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的晶体管。这款晶体管被设计用于高频率放大和开关应用,适用于便携式设备、通信设备以及通用电子设备。其 SOT-23 封装使其非常适合用于空间受限的电路设计中。LDTA144VLT1G 在高频性能、低噪声和稳定性方面表现出色,是许多电子工程师在选择晶体管时的重要考虑型号。

参数

类型:NPN晶体管
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
  最大功耗:300 mW
  最大工作温度:150°C
  封装类型:SOT-23
  电流增益(hFE):110 至 800(取决于测试条件)
  过渡频率(fT):250 MHz
  安装类型:表面贴装

特性

LDTA144VLT1G晶体管具备一系列高性能特性,适合多种电子电路设计需求。首先,其SOT-23封装形式在尺寸上具有优势,适合应用于空间受限的便携式电子产品,例如智能手机、平板电脑和穿戴设备。其次,该晶体管的最大集电极电流为100 mA,最大集电极-发射极电压为50 V,使其能够在中等功率水平下稳定运行。此外,LDTA144VLT1G的过渡频率(fT)达到250 MHz,这表明它非常适合用于高频放大器电路,如射频(RF)前置放大器和中频放大器。
  在电流增益方面,LDTA144VLT1G的hFE范围为110至800,具体值取决于测试条件,这使得它在需要不同增益级别的电路中具有高度灵活性。同时,该晶体管的低噪声特性也使其适用于音频放大器和传感器信号放大电路,能够提供更清晰的信号输出。此外,LDTA144VLT1G的最大功耗为300 mW,能够在相对较高的温度环境下稳定工作,适用于工业级应用。
  另一个重要特性是其较高的可靠性。LDTA144VLT1G采用了先进的制造工艺,确保在各种环境条件下都能保持稳定的工作状态。这使其成为汽车电子、工业控制系统和通信设备中的理想选择。此外,该晶体管支持表面贴装工艺,简化了PCB设计和制造流程,提高了生产效率。

应用

LDTA144VLT1G晶体管因其优异的性能和紧凑的封装形式,被广泛应用于多个领域。在通信设备中,它常用于射频(RF)放大器、信号调节电路和天线切换控制电路。在消费电子产品中,该晶体管可用于音频放大、传感器信号处理以及LED驱动电路。此外,LDTA144VLT1G还被广泛用于工业控制设备,如PLC(可编程逻辑控制器)、数据采集系统和传感器接口电路。在汽车电子领域,该晶体管可用于车身控制模块、车载娱乐系统以及车载通信设备。由于其良好的高频响应和低噪声特性,LDTA144VLT1G也常用于测试与测量设备中的信号放大和开关控制电路。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2SC3355

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