P36NE06 时间：2025/7/22 5:06:24 阅读：4

P36NE06是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件设计用于高效率、高可靠性的功率开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器等高功率密度电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：36A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.022Ω（典型值，取决于Vgs）
　　最大功耗（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK（表面贴装）等

特性

P36NE06具备多项优异的电气和热性能特性，适合高功率应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高整体系统效率。在Vgs为10V时，Rds(on)仅为约0.022Ω，显著优于许多同类产品。
　　其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达36A，适合大功率负载的控制。同时，其脉冲漏极电流能力更强，可在短时间内承受更高的电流冲击，提升系统的稳定性和可靠性。
　　此外，P36NE06采用先进的PowerMESH技术，提高了热稳定性和抗雪崩能力，增强了器件在恶劣工作条件下的耐用性。该技术还优化了晶圆结构，减少了开关损耗，提升了高频应用中的性能。
　　在封装方面，P36NE06提供TO-220和D2PAK两种形式，其中D2PAK版本适用于表面贴装工艺，有助于提升PCB布局的灵活性和散热性能。其封装设计优化了热阻，确保在高功耗环境下仍能保持良好的散热效果。
　　最后，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的Vgs，兼容多种驱动电路设计，适用于PWM控制、电机驱动、电源开关等多种应用场景。

应用

P36NE06广泛应用于各类功率电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，实现高效的能量转换。在电源管理系统中，它可用于负载开关、电池充电控制和电源分配。此外，P36NE06也适合用于电机驱动器、H桥电路和工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和大电流能力，它还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块等。