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P36NE06 发布时间 时间:2025/7/22 5:06:24 查看 阅读:3

P36NE06是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该器件设计用于高效率、高可靠性的功率开关应用,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器等高功率密度电路。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):36A
  导通电阻(Rds(on)):约0.022Ω(典型值,取决于Vgs)
  最大功耗(Ptot):100W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK(表面贴装)等

特性

P36NE06具备多项优异的电气和热性能特性,适合高功率应用。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))可降低导通损耗,提高整体系统效率。在Vgs为10V时,Rds(on)仅为约0.022Ω,显著优于许多同类产品。
  其次,该MOSFET具有较高的电流承载能力,额定连续漏极电流可达36A,适合大功率负载的控制。同时,其脉冲漏极电流能力更强,可在短时间内承受更高的电流冲击,提升系统的稳定性和可靠性。
  此外,P36NE06采用先进的PowerMESH技术,提高了热稳定性和抗雪崩能力,增强了器件在恶劣工作条件下的耐用性。该技术还优化了晶圆结构,减少了开关损耗,提升了高频应用中的性能。
  在封装方面,P36NE06提供TO-220和D2PAK两种形式,其中D2PAK版本适用于表面贴装工艺,有助于提升PCB布局的灵活性和散热性能。其封装设计优化了热阻,确保在高功耗环境下仍能保持良好的散热效果。
  最后,该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至10V的Vgs,兼容多种驱动电路设计,适用于PWM控制、电机驱动、电源开关等多种应用场景。

应用

P36NE06广泛应用于各类功率电子系统中。例如,在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为高侧或低侧开关,实现高效的能量转换。在电源管理系统中,它可用于负载开关、电池充电控制和电源分配。此外,P36NE06也适合用于电机驱动器、H桥电路和工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和大电流能力,它还可用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块等。

替代型号

IRFZ44N, STP36NF06, FDP3606, FQP36N06

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