类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　最小电流增益（hFE）：110（在IC=2mA, VCE=5V）
　　封装类型：SOT-23（TO-236）

HMBT1015BT1G 晶体管具备多项优异的电气特性，适用于高频和低噪声放大应用。其高增益带宽积达到250MHz，确保其在高频环境下仍能提供良好的放大性能。此外，该晶体管的低噪声系数使其在射频接收器和前置放大器中表现出色，能够有效提升系统的信噪比。
　　该器件的hFE（电流增益）在典型工作条件下可达到110以上，表现出稳定的放大能力。同时，其最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，能够在较宽的工作范围内稳定运行。HMBT1015BT1G 的SOT-23封装结构不仅节省空间，还具有良好的热稳定性，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　该晶体管还具备良好的线性度和低失真特性，适合用于射频功率放大器和调制解调电路。其较高的截止频率（fT）也使其适用于高速开关应用，例如数字逻辑电路中的缓冲器和驱动器。

HMBT1015BT1G 广泛应用于射频通信系统中的放大和开关电路。它常用于射频接收器的低噪声前置放大器，以提升信号的强度并降低噪声干扰。此外，该晶体管也适用于无线基础设施设备中的中频放大器和本地振荡器电路。
　　在消费类电子产品中，HMBT1015BT1G 可用于蓝牙模块、Wi-Fi射频前端、FM接收器以及射频遥控装置中的信号放大环节。其优异的高频性能也使其在汽车电子系统中的遥控钥匙（RKE）模块和胎压监测系统（TPMS）中得到应用。
　　该晶体管还可用于工业控制系统中的传感器信号放大、数据采集电路中的模拟开关以及高速数字逻辑电路中的缓冲器。由于其小型化封装和高可靠性，HMBT1015BT1G 也是便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中常见的元器件之一。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, BFQ54, HMBT1013BT1G