晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　噪声系数（NF）：1.5 dB（典型值）
　　电流增益（hFE）：80 - 700（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LDTA143TM3T5G具备多项优异的电气特性，使其适用于高频和低噪声应用场景。首先，该晶体管的过渡频率（fT）高达250 MHz，表明其在高频环境下仍能保持良好的增益特性，适用于射频和中频放大电路。其次，其噪声系数（NF）为1.5 dB的典型值，在低噪声放大器设计中表现出色，能够有效提升系统的信噪比。
　　此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的等级划分，可在80至700之间变化，满足不同放大需求。LDTA143TM3T5G采用了先进的硅外延平面制造工艺，提高了器件的稳定性和可靠性，同时具有良好的热稳定性和抗饱和能力。
　　该器件的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为50 V，具备较高的耐压能力，适用于中等功率的射频或模拟信号放大。SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于在高密度PCB设计中进行自动化装配。其功耗为300 mW，适用于电池供电设备或低功耗系统。
　　总体而言，LDTA143TM3T5G是一款适用于高频、低噪声和中等功率放大应用的通用NPN晶体管，具有优良的电气性能和稳定的封装设计，广泛用于无线通信、射频模块、测试仪器以及消费电子设备中的模拟信号处理电路。

LDTA143TM3T5G主要应用于射频和模拟电子系统中，特别适合于低噪声放大器（LNA）、射频混频器、振荡器和中频放大器等电路。该晶体管广泛用于无线通信设备、基站、射频接收器模块、测试与测量仪器以及消费类电子产品中的信号放大和处理电路。其高过渡频率和低噪声系数使其成为射频前端设计的理想选择，尤其在FM接收器、VHF/UHF通信系统和无线传感器网络中具有良好的表现。

2N3904, BFQ19, BC547, MMBT3904