类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大漏极电流（Id）：110mA（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：4.3nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　功率耗散：300mW

MMBT7002-HAF具备多项优良特性，适用于多种高性能电子应用。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的最小电压降，从而提高整体能效。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗并提高工作频率，适用于高频开关电路。
　　该MOSFET的SOT-23封装不仅体积小巧，而且具有良好的热性能，可以在高密度PCB设计中节省空间。同时，该器件的宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。
　　MMBT7002-HAF的栅源电压（Vgs）可达±12V，提供了更高的驱动灵活性，允许使用多种栅极驱动电路。这种特性在需要精确控制导通状态的应用中尤为重要，例如DC-DC转换器、负载开关和逻辑电平转换电路。
　　另外，该MOSFET的漏极电流能力为110mA，足以满足大多数低功率应用的需求。其低功耗特性使其成为电池供电设备的理想选择，有助于延长设备的续航时间。

MMBT7002-HAF广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）、电源管理系统、DC-DC转换器、LED驱动电路、信号开关和逻辑电平转换器。
　　在便携式设备中，MMBT7002-HAF的低功耗和小尺寸特性使其成为理想的开关元件，有助于减少整体功耗并延长电池寿命。
　　在电源管理系统中，该器件可用于负载开关或电源分配控制，提供高效的电源管理方案。
　　在DC-DC转换器中，MMBT7002-HAF的低导通电阻和快速开关特性可以提高转换效率，减少能量损耗。
　　此外，该MOSFET还可用于音频放大器、传感器接口电路和工业控制系统中的信号处理和开关控制。

2N7002, BSS138, 2N3904