时间：2025/7/3 23:05:31
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MAAST21GSB7225KTNA01 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，专为高效率功率转换和开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在确保低导通电阻的同时提供卓越的开关性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率控制的场景。
这款 MOSFET 芯片具有 N 沟道增强型结构，能够在高频工作条件下保持低损耗特性，从而提升整体系统效率。此外，其封装形式经过优化，能够有效降低寄生电感并提高散热性能。
型号：MAAST21GSB722：MOSFET (N沟道增强型)
最大漏源电压(V_DS)：72V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
持续漏极电流(I_D)：25A
导通电阻(R_DS(on))：4.5mΩ (典型值，V_GS=10V)
总栅极电荷(Q_g)：39nC
输入电容(Ciss)：2040pF
输出电容(Coss)：160pF
反向传输电容(Crss)：58pF
结温范围(T_J)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
MAAST21GSB7225KTNA01 的主要特点是其超低的导通电阻 (R_DS(on)) 和高效的开关性能。在 V_GS = 10V 时，导通电阻仅为 4.5mΩ，这使得该器件非常适合高电流应用，同时最大限度地减少了传导损耗。
此外，该 MOSFET 的总栅极电荷较低 (Q_g = 39nC)，有助于实现更快的开关速度，并减少开关过程中的能量损耗。这些特点共同提升了系统的整体效率。
在热性能方面，该芯片通过优化的 TO-247 封装提供了出色的散热能力，允许在较高的结温范围内运行 (-55℃ 至 +175℃)，适用于恶劣的工作环境 V_DS 和 I_D 参数范围，该器件还能够在多种电压和电流等级下稳定工作，增强了设计灵活性。
MAAST21GSB7225KTNA01 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- AC/DC 转换器
- DC/DC 转换器
2. 电机驱动：
- 工业自动化设备中的无刷直流电机 (BLDC) 驱动
- 电动车窗和座椅调节等汽车应用中的小型电机驱动
3. 逆变器：
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
4. 电池管理系统 (BMS)：
- 电池充放电控制
- 过流保护
5. 其他高效率功率转换应用：
- 电动工具
- 家电产品中的功率控制模块
MAAST21GSA7225KTA01
IRFZ44N
FDP5800
AON7714
