晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

LDTA123YLT1G具有多个关键特性，使其在各种电子电路中表现出色。首先，其较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO）为50V，使其能够在中高压环境中稳定工作。其次，晶体管的增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，这意味着它可以在不同的工作条件下提供良好的放大性能。
　　此外，LDTA123YLT1G的集电极电流额定值为100mA，足以满足大多数中低功率应用的需求。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于在高密度PCB设计中使用。功耗为300mW，确保了其在高效率电路中的适用性。
　　该晶体管的工作温度范围宽达-55°C至150°C，使其在极端环境条件下仍能保持稳定运行。这一特性尤其适合工业级和汽车电子应用，其中温度变化较大且需要高可靠性。
　　总体而言，LDTA123YLT1G是一款性能稳定、多功能的晶体管，适合用于各种通用开关和放大电路，尤其适合对空间和功耗有较高要求的设计。

LDTA123YLT1G广泛应用于多个领域，包括消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备。在消费电子产品中，它可以用于音频放大器、电源管理和信号切换电路。由于其高增益特性，LDTA123YLT1G也常用于低频放大电路，如音频前置放大器或传感器信号放大器。
　　在工业控制系统中，该晶体管可用于驱动继电器、LED显示器或其他低功率负载。由于其在高温度范围内的稳定性，LDTA123YLT1G也适用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、仪表盘指示灯控制和车身电子模块。
　　此外，该晶体管还可用于射频（RF）前端模块中的开关和放大功能，特别是在中低频段的通信设备中。其SOT-23封装形式也使其成为便携式设备的理想选择，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。

BC547, 2N3904, PN2222