系列：VLS252012
　　电感值：4.7 μH
　　允许偏差：±20%
　　直流电阻（DCR）：典型值 68 mΩ，最大值 83 mΩ
　　额定电流（Isat）：540 mA（电感下降30%）
　　额定电流（Itemp）：600 mA（温升40°C）
　　自谐振频率（SRF）：典型值 60 MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C（含绕组温升）
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装尺寸：2.5 mm × 2.0 mm × 1.2 mm
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　焊接方式：回流焊
　　磁屏蔽类型：全屏蔽结构
　　环保属性：符合RoHS，无卤素
　　认证标准：AEC-Q200

VLS252012T-4R7M 具备出色的磁屏蔽性能，其全屏蔽磁芯结构显著降低了外部磁场辐射，减少了对周边元件的电磁干扰（EMI），特别适用于高密度PCB布局和噪声敏感的应用场景。这种设计不仅提升了系统的电磁兼容性（EMC），还允许在靠近其他信号线路的位置安装而不会引起串扰问题。该电感采用金属合金粉末作为磁芯材料，具有优异的直流偏置特性，在高电流负载下仍能维持较高的电感稳定性，避免因电流上升导致电感值急剧下降的问题，从而保障电源系统的动态响应能力和输出电压稳定性。
　　该器件拥有较低的直流电阻（DCR），典型值仅为68mΩ，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率，尤其在电池供电设备中可延长续航时间。其双额定电流指标——饱和电流（Isat）和温升电流（Itemp）分别为540mA和600mA，表明其在不同工作条件下的可靠承载能力：当电流达到540mA时，电感值下降约30%，而在600mA时绕组温升不超过40°C，适合持续高负载运行。此外，该电感具备良好的热稳定性，可在-40°C至+125°C的宽温范围内正常工作，满足工业级和汽车级应用需求。
　　VLS252012T-4R7M 采用紧凑的2.5×2.0×1.2mm小型化封装，节省PCB空间的同时支持高密度集成，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及车载信息娱乐系统等对体积要求严苛的产品。其结构坚固，抗机械冲击和振动能力强，结合AEC-Q200认证，证明其在汽车环境下的耐久性和可靠性。生产工艺上采用先进的自动化卷绕与固化技术，确保批次一致性高，适合大规模SMT贴装，提升生产效率并降低制造成本。

该电感广泛应用于各类直流-直流（DC-DC）转换器电路中，特别是在降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）拓扑结构中作为储能元件使用。其高饱和电流和低直流电阻特性使其成为移动设备电源管理单元（PMU）的理想选择，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电压调节模块（VRM）。在这些应用中，它能够高效传递能量并滤除高频纹波，确保处理器、内存和其他核心组件获得稳定的供电电压。
　　此外，VLS252012T-4R7M 也常用于便携式消费类电子产品，如蓝牙耳机、智能手表和物联网（IoT）设备的电源回路中，以实现小型化与高效率的平衡。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、ADAS传感器供电、车载导航系统和LED照明驱动电源中，得益于其AEC-Q200认证和宽温工作能力，可在恶劣的车辆运行环境中保持性能稳定。
　　工业控制设备、网络通信模块以及嵌入式系统中的辅助电源或隔离电源部分同样适用此电感。其良好的EMI抑制能力有助于通过电磁兼容测试，满足FCC、CE等国际认证要求。总之，凡需要小尺寸、高效率、强抗干扰能力的功率电感场合，VLS252012T-4R7M 都是一个可靠的选择。

CDRH9FBX-4R7