UCN5825B 时间：2025/7/30 6:15:48 阅读：19

UCN5825B是一款由Allegro MicroSystems设计的双通道、高电压、高电流MOSFET驱动器集成电路。该芯片专为需要高效、可靠驱动能力的功率电子应用而设计，适用于驱动N沟道和P沟道MOSFET以及IGBT器件。UCN5825B采用了高边和低边配置的半桥结构，具备独立的输入控制和死区时间调节功能，从而确保在高频率开关应用中的稳定性和效率。该器件广泛应用于电机控制、电源转换、电动车驱动系统、工业自动化和电池供电设备等领域。

参数

工作电压范围：10V 至 20V
　　输出电流能力：高端和低端各1.2A（峰值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：20引脚 SOIC
　　最大功耗：1.2W
　　输入逻辑电压范围：3V 至 20V
　　驱动延迟时间：典型值为200ns
　　输出电压范围：0V 至 VDD
　　死区时间调节：外部可调

特性

UCN5825B具备多种关键特性，使其在功率MOSFET驱动应用中表现出色。首先，其双通道半桥驱动架构允许独立控制高端和低端MOSFET，确保精确的开关时序控制。
　　其次，芯片内置的死区时间调节功能可防止上下桥臂同时导通造成的直通短路，提高系统可靠性。
　　此外，UCN5825B支持宽范围的电源电压（10V至20V），使其适用于多种电源配置环境，并具备良好的抗干扰能力。
　　该芯片还集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止低电压导致的误操作。
　　UCN5825B采用20引脚SOIC封装，具有良好的热稳定性和电气性能，适合在高温环境下工作。
　　最后，其高速驱动能力（典型延迟时间为200ns）使得该芯片非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、H桥电机驱动和逆变器系统。

应用

UCN5825B广泛应用于需要高效功率驱动的多个领域。在电机控制方面，该芯片用于驱动H桥电路，实现直流电机或步进电机的正反转控制。
　　在电源转换系统中，UCN5825B常用于同步整流、升压/降压转换器以及谐振变换器中的MOSFET驱动。
　　此外，该器件也常用于电动车、电动工具、无人机和机器人系统中的功率管理模块。
　　工业自动化设备，如伺服驱动器和变频器，也采用UCN5825B来驱动功率开关器件，实现高效能控制。
　　同时，该芯片适用于电池供电设备中的电源管理系统，如UPS、储能系统和便携式医疗设备等。