LDTA123EET1G 时间：2025/8/13 20:15:53 阅读：23

LDTA123EET1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该器件设计用于高频应用和小信号放大电路中，具有良好的频率响应和稳定性。LDTA123EET1G 采用 SOT-23 封装，适合用于便携式电子设备和无线通信系统中的信号放大和处理。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益带宽积（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　封装类型：SOT-23

特性

LDTA123EET1G 晶体管具有优异的高频性能，适用于射频（RF）和中频（IF）放大器的设计。其高频响应能力使其能够在高达 250 MHz 的频率下稳定工作，满足无线通信设备对信号放大的需求。此外，该晶体管的电流增益范围较宽（110-800），可以根据具体电路需求选择合适的工作点，确保信号的线性放大。
　　该器件的低功耗特性（最大功耗为 300 mW）使其非常适合用于电池供电设备，例如便携式音频设备、无线传感器和低功耗通信模块。SOT-23 小型封装形式不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 设计中使用，提高整体系统的紧凑性和可靠性。
　　LDTA123EET1G 还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，在不同温度环境下均能保持稳定的性能。这使得它在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中均有广泛应用。