最大重复峰值电压（VDRM）：1600V
　　最大通态电流（IT）：120A
　　通态电压降（VTM）：约1.5V（典型值）
　　门极触发电流（IGT）：约50mA（最大值）
　　门极触发电压（VGT）：约1.5V（最大值）
　　最大工作温度：-40°C至+125°C
　　封装类型：模块封装
　　额定频率：50Hz/60Hz

MDD122-16N1具有多项优异的电气和热性能，使其适用于各种高功率交流控制应用。首先，其高重复峰值电压（1600V）和大通态电流能力（120A）使其能够承受较高的电压和电流应力，适用于中高功率应用。此外，该器件的低通态电压降（约1.5V）有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　该器件的门极触发电流和电压较低，易于驱动，可以与常见的控制电路兼容。MDD122-16N1采用模块封装，具备良好的散热性能，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。其宽工作温度范围（-40°C至+125°C）也确保了在各种工业环境下的可靠性。
　　作为双向可控硅，MDD122-16N1可以在交流电源的正负半周内均实现导通，适用于交流负载的相位控制。其快速响应特性使其适用于需要精确控制的应用，如调光器、电热器和交流电动机控制。

MDD122-16N1广泛应用于需要高功率交流控制的场合。常见应用包括工业自动化设备中的电动机速度控制、加热系统的功率调节、照明系统的调光控制以及家用电器中的交流电源管理。此外，该器件还可用于电力电子变换器、不间断电源（UPS）系统以及电焊设备中的电源开关控制。由于其高可靠性和良好的散热性能，MDD122-16N1特别适合需要长时间稳定运行的工业设备。

MDD122-16N1的替代型号包括MDD122-16N2、MDD122-16IO、MDD122-16W1等，具体选择需根据电路设计要求和工作条件进行匹配。