ITXH25N45 时间：2025/8/5 20:29:46 阅读：14

ITXH25N45是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，由英飞凌（Infineon）公司制造。该器件设计用于高功率开关应用，具有优异的导通和开关性能，适用于电源转换器、逆变器以及电动机控制等场景。该MOSFET采用了先进的沟道技术，确保了在高电压和大电流条件下依然保持良好的稳定性和效率。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：25A
　　漏源击穿电压（VDS）：450V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.15Ω（在VGS=10V时）
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

ITXH25N45具有多项突出的电气和热性能特性。其高击穿电压能力使其适用于高电压输入的功率转换系统，如AC/DC电源适配器、离线式电源和工业电机驱动器。该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，从而提高整体效率并减少散热需求。此外，ITXH25N45的封装形式（TO-220）具备良好的热管理和机械稳定性，适用于多种安装环境。
　　该MOSFET的栅极驱动要求较低，通常只需10V的栅极电压即可实现完全导通，这使其能够与多种常见的驱动电路兼容。同时，ITXH25N45具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗，并适用于高频操作环境，如开关电源（SMPS）和DC/DC转换器。
　　从可靠性角度来看，该器件具有较高的抗雪崩能力和短路耐受能力，适合在严苛的工作条件下使用。