类型：NPN 型晶体管
　　最大集电极电流 (Ic)：100 mA
　　最大集电极-发射极电压 (Vce)：50 V
　　最大集电极-基极电压 (Vcb)：50 V
　　最大功耗 (Ptot)：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益 (hFE)：110 至 800（根据不同的电流和电压条件）
　　过渡频率 (fT)：100 MHz
　　封装类型：SOT-23

LDTA114TM3T5G 晶体管具有优异的电流增益和高频性能，适用于需要中等功率和高频率的应用。其 hFE 值范围较广，可以根据具体应用需求选择合适的型号。该晶体管的过渡频率为 100 MHz，意味着它能够在较高的频率下保持良好的放大性能。此外，SOT-23 封装不仅节省空间，还便于自动化生产和焊接。
　　LDTA114TM3T5G 的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 50 V，适用于多种低压和中压电路设计。其最大功耗为 300 mW，能够在较高的温度环境下稳定工作。该器件的电流增益随工作电流和电压的变化而变化，提供了灵活的设计选项。
　　该晶体管的制造工艺成熟，确保了器件的高可靠性和长寿命。其设计适合在广泛的电子应用中使用，包括放大器、开关电路、传感器接口等。SOT-23 封装还提供了良好的热管理和电气性能，确保器件在高负载条件下的稳定性。

LDTA114TM3T5G 常用于通用放大器和开关电路中，适用于音频放大器、信号调理电路、电源管理、传感器接口以及各种电子设备中的控制电路。其高频性能使其在射频（RF）和通信设备中也有一定的应用潜力。此外，该晶体管还可用于数字电路中的逻辑开关和驱动电路。

BC847 NPN 晶体管, 2N3904