型号：K4G80325FC-HC25
　　类型：LPDDR3 SDRAM
　　容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：8 banks x 32M x 16
　　工作电压：1.35V ± 0.1V
　　接口类型：CMOS Differential Clock
　　数据速率：2500 MT/s
　　封装形式：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　工作温度：0°C 至 95°C（Tj）
　　兼容标准：JESD209-3
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh, Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)
　　时钟频率：1250MHz（等效）
　　I/O标准：SSTL_135

K4G80325FC-HC25具备多项先进技术特性，使其在低功耗与高性能之间实现卓越平衡。
　　首先，该器件基于LPDDR3（Low Power Double Data Rate 3）架构设计，采用1.35V核心供电，显著低于标准DDR3的1.5V，从而在保持相近性能水平的同时大幅降低动态和静态功耗。这对于依赖电池供电的移动设备至关重要，有助于提升整体系统能效比并减少散热需求。其次，该芯片支持双倍数据速率（DDR）传输机制，在时钟上升沿和下降沿均可传输数据，使有效数据速率翻倍。配合2500MT/s的高速接口能力，能够提供高达20GB/s的理论峰值带宽（在x16配置下），满足高清视频处理、多任务操作系统运行及图形密集型应用的需求。
　　再者，K4G80325FC-HC25集成了多种节能功能，如深度省电模式（Deep Power-down Mode）、部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR）以及温度补偿自刷新（TCSR）。PASR允许用户选择性地关闭未使用的存储体以节省电力；而TCSR则根据芯片结温自动调整刷新周期，在高温环境下增加刷新频率防止数据丢失，在低温时降低频率以节约能耗。这些智能电源管理机制极大增强了系统的灵活性与可靠性。
　　此外，该芯片采用先进的FBGA（Fine-pitch Ball Grid Array）封装工艺，具有96个焊球，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，并支持高层数主板上的盲埋孔布线设计。优异的信号完整性设计包括片内终端（ODT）、ZQ阻抗校准电路以及可编程输出驱动强度，有效抑制反射与串扰，保障在高频工作状态下的数据稳定性。同时，其支持差分时钟输入（CK_t/CK_c），提高了时钟信号抗噪声能力，增强了同步精度。
　　最后，K4G80325FC-HC25完全符合JEDEC JESD209-3国际标准，确保与其他符合规范的控制器和系统平台良好兼容。它还具备良好的热稳定性与长期可靠性，经过严格的环境测试验证，适用于工业级和消费级各类应用场景。

K4G80325FC-HC25主要应用于对功耗敏感且需要较高内存带宽的便携式电子产品。
　　其典型应用领域包括智能手机和平板电脑，作为主内存组件与应用处理器（AP）协同工作，支撑Android或iOS操作系统的流畅运行，尤其是在多任务切换、大型应用程序加载和高清多媒体播放等场景下表现出色。由于其低电压特性和高效的电源管理模式，特别适合用于延长移动设备的待机与使用时间。
　　此外，该芯片也广泛用于超极本（Ultrabook）、轻薄笔记本电脑以及二合一设备中，作为系统内存模组的一部分，帮助实现更薄的设计与更低的发热量。在嵌入式系统方面，如车载信息娱乐系统（IVI）、数字标牌、POS终端及工业HMI人机界面设备中，K4G80325FC-HC25同样发挥着重要作用，提供可靠的内存支持。
　　在智能电视和OTT流媒体盒子中，该芯片可用于缓存视频流数据、运行中间件系统以及支持语音助手等功能，确保用户界面响应迅速、播放过程无卡顿。同时，一些高端物联网网关和网络通信设备也会采用此类高性能低功耗内存来提升数据处理效率。
　　得益于其高集成度和小型化封装，K4G80325FC-HC25还可被整合进多芯片封装（MCP）或封装内堆叠（PoP, Package on Package）结构中，直接堆叠在应用处理器上方，节省宝贵的PCB空间，适用于空间受限的紧凑型设计。因此，无论是在消费电子还是工业控制领域，该芯片都展现出广泛的适用性与强大的适应能力。

K4B4G1646E-HC25
　　MT41K512M16TW-125A
　　EM6GD8U325DWI-GN