时间：2025/9/11 15:24:08
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KTC3880S-Y-RTK/H 是一款由 KEC（高丽电子器件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高性能的电源管理应用而设计，广泛用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动器、电池管理系统等领域。这款 MOSFET 具备低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其采用 TO-252（DPAK）封装形式，便于在 PCB 上安装并具有良好的热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：13.5mΩ（典型值，@VGS=10V）
漏极功耗（PD）：120W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KTC3880S-Y-RTK/H 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。此外，该器件具备高电流承载能力（最大漏极电流可达 80A），适合用于高功率密度的电源设计中。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和耐久性，其 TO-252 封装提供了良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。同时，其栅极驱动电压范围较宽（最大 ±20V），使得其可以与多种驱动电路兼容，包括常见的 10V 和 12V 驱动电源。
该器件的制造工艺采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通电阻和开关性能之间的平衡，从而在高频开关应用中也能表现出色，减少了开关损耗。此外，该器件具有较高的雪崩耐受能力，能够在突发性过电压情况下提供一定程度的保护，提高了系统的可靠性。
KTC3880S-Y-RTK/H 广泛应用于多种功率电子系统中。常见应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池管理系统（如电动车、储能系统）、电机控制电路、电源模块以及服务器和通信设备的电源系统。
在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关器件，利用其低 Rds(on) 特性实现高效率的电压转换。在电机控制应用中，该器件可用于 H 桥结构中的上下桥臂开关，支持大电流快速切换，提升电机驱动性能。
此外，由于其高可靠性和良好的热性能，该 MOSFET 也常用于汽车电子系统中，如车载充电器、启动系统、LED 照明驱动等应用。在工业自动化设备中，该器件可用于高频率开关电源和变频器控制电路，满足高效率和小型化设计需求。
Si7461DP-T1-GE3, IRF1404, AO4406A, IPP060N06S4-03, FDS6680
