晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据档位不同）
　　封装类型：SOT-23

LDTA114GET1G 具备多项优异特性，使其在通用晶体管应用中表现出色。首先，其集电极-发射极电压（VCEO）为 50V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电压级别的电路设计。其次，该晶体管的最大集电极电流为 100mA，满足中等功率应用的需求。此外，该器件的增益带宽积为 100MHz，适合用于高频放大电路。LDTA114GET1G 的 hFE（电流增益）范围为 110 至 800，并根据不同档位进行分级，便于设计人员根据具体需求选择合适的器件。该晶体管采用 SOT-23 小型封装，节省空间，适用于高密度 PCB 设计。同时，其功耗为 300mW，具有良好的热稳定性和可靠性。LDTA114GET1G 还具有良好的温度稳定性，工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种环境条件。由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，该晶体管被广泛应用于消费类电子产品、通信设备、传感器电路和电源管理模块中。

LDTA114GET1G 主要用于通用开关和放大电路，适用于多种电子系统。在消费类电子产品中，它常用于音频放大器、逻辑电平转换和继电器驱动电路。在工业控制领域，该晶体管可用于 PLC 模块、传感器信号调理和电机控制电路。此外，LDTA114GET1G 还广泛应用于电源管理系统，如 DC-DC 转换器、电池充放电控制电路和负载开关。由于其高频响应特性，该晶体管也可用于射频（RF）前端电路中的低噪声放大器（LNA）和混频器。在通信设备中，它可用于数据传输接口电路、信号增强模块和光模块的驱动电路。LDTA114GET1G 的 SOT-23 封装也使其成为高密度 PCB 设计的理想选择，尤其适用于便携式设备、物联网（IoT）终端和可穿戴电子产品。

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A