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MA0402XR681J500 发布时间 时间:2025/7/1 1:03:00 查看 阅读:6

MA0402XR681J500 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,属于东芝半导体的产品系列。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和功率转换应用。其封装形式为 TO-263(DPAK),能够有效提升散热性能,确保在高功率场景下的稳定运行。
  这款 MOSFET 主要用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动等应用中,凭借其优异的电气特性和可靠性,成为许多设计工程师的首选方案。

参数

型号:MA0402XR681J500
  类型:N沟道 MOSFET
  额定电压(Vds):60V
  额定电流(Id):70A
  导通电阻(Rds(on)):4.0mΩ
  栅极电荷(Qg):9nC
  最大工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263 (DPAK)
  逻辑电平兼容:是

特性

MA0402XR681J500 具有以下显著特点:
  1. 超低导通电阻(仅 4.0mΩ),可显著降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电流(70A),适合高功率密度应用。
  3. 短开关时间(典型值为几十纳秒),有助于减少开关损耗并提高高频性能。
  4. 逻辑电平栅极驱动兼容性,便于与微控制器或专用驱动芯片集成。
  5. 封装形式为 TO-263,提供出色的散热性能。
  6. 宽温度范围(-55℃ 至 +175℃),可在极端环境下可靠运行。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。

应用

MA0402XR681J500 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
  2. 直流-直流转换器,例如降压和升压拓扑结构。
  3. 电机驱动电路,包括无刷直流电机控制。
  4. 负载开关,用于动态管理功率分配。
  5. 电池保护电路,防止过充或过放。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  7. 汽车电子系统中的电源管理单元。

替代型号

MA0402XRA81J500, MA0402XR681J500P