时间：2025/8/14 0:08:03
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LDN2367T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的低压差线性稳压器（LDO）。该器件设计用于在输入和输出电压差较小的情况下提供稳定的输出电压，具有低噪声、高电源抑制比（PSRR）以及良好的负载和线路调节能力。这款LDO非常适合用于便携式设备、电池供电系统以及其他对功耗和噪声敏感的应用。
输出电压：可调（通过外部电阻分压）
输出电流：最大600mA
输入电压范围：2.7V至5.5V
压差电压：典型值为300mV（在600mA负载下）
静态电流：典型值为80μA
关断电流：小于1μA
工作温度范围：-40°C至+125°C
封装形式：TSOP（例如SOT-23-5）
LDN2367T1G具备多项优异性能，确保其在多种应用场景中的稳定性和可靠性。其低压差特性使得在电池供电系统中能够延长电池寿命，即使在输入电压接近输出电压的情况下也能维持稳定输出。
此外，该LDO具有出色的电源抑制比（PSRR），通常在1kHz频率下可达到70dB以上，有助于减少来自电源的噪声和纹波对输出电压的影响。这使其非常适合用于射频（RF）模块、音频放大器、传感器接口等对噪声敏感的电路。
器件内部集成了过热保护（OTP）和过流保护（OCP）功能，能够在异常工作条件下自动关闭，防止器件损坏。LDN2367T1G在关断模式下功耗极低，适合需要节能设计的应用。
其采用小型TSOP封装（如SOT-23-5），节省PCB空间，适用于空间受限的便携式电子产品。该器件在设计上具有良好的稳定性和动态响应，能够快速适应负载变化，保持输出电压稳定。
LDN2367T1G 主要用于需要低噪声、高稳定性的低压差线性稳压场合。常见应用包括无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee）、音频设备、便携式医疗仪器、传感器供电、微控制器系统电源管理、电池管理系统等。
由于其高PSRR和低输出噪声，该LDO也广泛用于射频前端、精密模拟电路和高速数据转换器的供电。此外，在汽车电子、工业控制和智能穿戴设备中，LDN2367T1G也是一款常用的电源管理器件。
NCP1117ST50T3G, LP2985AIM5-3.3, MCP1700T-3302E/TT
