时间：2023/3/6 15:48:22
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类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET?
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.3 毫欧 @ 110A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：180A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：130nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：11360pF @ 50V
功率 - 最大：370W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-262-3（直引线）
包装：管件
供应商设备封装：TO-262
| 厂商 |
|---|
| Infineon Technologies |
