时间：2025/6/18 17:04:04
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LCBT67S-Q1R1-3K4L-Z 是一款高性能的功率半导体器件，属于 LCBT 系列中的绝缘栅双极晶体管（IGBT）。该器件通常用于需要高效率、高速开关以及低功耗的应用场景。它结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性，广泛应用于工业控制、电机驱动、新能源等领域。
LCBT67S-Q1R1-3K4L-Z 的封装形式和电气参数经过优化，能够满足汽车级和其他严苛环境下的使用需求。
额定电压：1200V
额定电流：25A
集电极-发射极饱和电压：1.8V
门极阈值电压：10V
最大开关频率：20kHz
热阻：0.2 K/W
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
1. 高可靠性设计，适用于汽车级应用。
2. 超低开关损耗，提高系统整体效率。
3. 内置快速恢复二极管（FRED），增强反向恢复性能。
4. 出色的短路耐量能力，确保在极端条件下依然稳定运行。
5. 封装紧凑，适合空间受限的设计环境。
6. 支持高频操作，降低磁性元件尺寸和成本。
1. 新能源汽车逆变器及充电设备。
2. 工业电机驱动与伺服控制系统。
3. 光伏逆变器及风能发电转换系统。
4. 开关电源和不间断电源（UPS）模块。
5. 焊接机和感应加热设备。
6. 家用电器中的变频技术实现。
LCBT67S-Q1R1-3K4L-A, LCBT67S-Q1R1-3K4L-B, LCBT67S-Q1R1-3K4L-C
