时间：2025/9/14 16:45:30
阅读：7
BUK9M15-60EX是一款由NXP Semiconductors制造的高性能功率MOSFET晶体管，专为高效率、高功率密度的应用设计。该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其额定电压为600V，额定电流为15A，适用于需要高可靠性和高效能的电力电子系统。BUK9M15-60EX的封装形式为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A（在Tc=25℃时）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃至150℃
存储温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.25Ω（在Vgs=10V时）
BUK9M15-60EX的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提供了更高的性能和可靠性。其额定电压为600V，适用于高电压应用，能够承受较高的电压应力。该MOSFET的额定电流为15A，确保在高负载条件下仍能稳定工作。
BUK9M15-60EX具有优异的热性能，其封装形式为TO-220，具有良好的散热能力，能够有效降低器件的温度，从而延长使用寿命。此外，该器件的工作温度范围为-55℃至150℃，适应各种极端环境条件，确保在不同应用场景下的稳定运行。
该MOSFET的栅源电压为±20V，提供了较宽的驱动电压范围，使其在不同的驱动电路中具有更好的兼容性。此外，其功耗为50W，确保在高功率应用中仍能保持良好的性能。存储温度范围为-55℃至150℃，使得该器件在各种存储和运输条件下都能保持稳定。
BUK9M15-60EX广泛应用于各种高功率和高效率要求的电力电子系统中，例如开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器等。其高电压和高电流能力使其非常适合用于工业自动化设备和电源管理系统。在这些应用中，BUK9M15-60EX能够提供高效的功率转换，减少能量损耗，并提高系统的整体性能。
在开关电源应用中，BUK9M15-60EX的低导通电阻和高效率特性使其成为理想的功率开关器件，能够有效提高电源的转换效率。此外，在DC-DC转换器中，该MOSFET能够提供稳定的输出电压，确保系统的可靠运行。在逆变器应用中，BUK9M15-60EX能够承受较高的电压和电流应力，确保在高功率条件下仍能稳定工作。
该器件还适用于电机驱动器，其高电流能力能够提供足够的驱动功率，确保电机的平稳运行。此外，BUK9M15-60EX的宽温度范围使其能够在各种环境条件下稳定工作，适用于户外和工业环境中的应用。
BUK9M15-60E
