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IXGH32N90B2D1 发布时间 时间:2025/8/6 8:39:35 查看 阅读:13

IXGH32N90B2D1是一款由IXYS公司制造的高功率双极性晶体管(BJT),适用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用TO-247封装,具有良好的热性能和可靠性,常用于工业控制、电源转换以及电机驱动等高功率电子系统中。

参数

晶体管类型:NPN双极性晶体管
  最大集电极-发射极电压(Vce):900V
  最大集电极电流(Ic):32A
  最大功耗(Ptot):170W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  增益带宽积(fT):2MHz
  封装类型:TO-247

特性

IXGH32N90B2D1具备卓越的电气特性和热稳定性,其高耐压能力(900V)使其适用于高电压工作环境。该器件的高电流承载能力(32A)可以支持大功率负载的需求。此外,TO-247封装设计提供了良好的散热性能,从而增强了器件的可靠性。在高频应用中,其增益带宽积达到2MHz,能够满足许多高频开关和放大需求。该晶体管还具有较低的饱和压降,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  在可靠性方面,IXGH32N90B2D1具有宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),能够在极端环境下稳定运行。其封装设计符合工业标准,方便在各种电路板上安装和使用。

应用

IXGH32N90B2D1广泛应用于高功率电子设备中,例如工业电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、焊接设备和高频放大器。由于其高电压和高电流特性,它特别适合用于需要高效能和高可靠性的工业控制系统。

替代型号

IXGH32N60B2D1, IXGH40N60B3D1, IXGH20N100B2D1

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IXGH32N90B2D1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)900V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,32A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)64A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件