时间：2025/9/16 15:42:41
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LCA30S-48是一款由上海陆芯电子科技有限公司推出的高性能碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode），专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备优异的反向耐压能力与低正向导通压降特性，适用于各类电力电子变换系统。LCA30S-48的额定反向电压为480V，持续正向电流可达30A，能够满足工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电桩、UPS不间断电源等高端应用的需求。该产品封装形式为TO-247-3L，具有良好的热传导性能和机械稳定性，便于在大功率模块中进行散热设计与安装集成。作为陆芯电子LCA系列中的一员，LCA30S-48体现了国产碳化硅器件在可靠性、一致性和性价比方面的显著进步，广泛用于替代传统硅基快恢复二极管，提升系统整体能效并减小体积。
类型：碳化硅肖特基二极管
封装：TO-247-3L
最大重复反向电压 VRRM：480V
最大均方根正向电流 IF(RMS)：30A
最大平均正向电流 IF(AV)：20A
最大峰值正向电流 IFSM：300A
正向压降 VF(典型值)：1.55V @ 30A, 25°C
反向漏电流 IR(最大值)：100μA @ 480V, 25°C
结温范围 TJ：-55°C 至 +175°C
热阻 RθJC：约1.2°C/W
引脚数：3
LCA30S-48的核心优势在于其基于6英寸4H-SiC外延材料制造的JBS（Junction Barrier Schottky）结构，这种结构结合了肖特基势垒与PN结的优点，在保证低开启电压的同时有效抑制了高温下的反向漏电流增长。在正常工作条件下，其正向导通压降仅为1.55V左右，相较于传统硅FRD可降低约40%的导通损耗，极大提升了电源系统的转换效率。此外，由于碳化硅材料本身具备宽禁带（~3.2eV）、高临界电场强度和优良热导率的特点，使得该器件可在高达175°C的结温下长期稳定运行，并且无需复杂的雪崩保护电路即可承受较高的电压应力。
器件具有极快的反向恢复速度，几乎无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），因此在高频开关场合如图腾柱PFC、LLC谐振变换器中表现出色，能够显著减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰问题。同时，其TO-247-3L封装引入了源极开尔文连接（Kelvin Source），有助于优化驱动回路布局，提高动态响应一致性，特别适合用于多管并联或模块化设计场景。产品通过AEC-Q101车规级可靠性测试认证，具备出色的抗湿性、抗热冲击能力和长期老化稳定性，适用于严苛工业及车载环境。出厂前经过100%高温反向偏置（HIRB）筛选，确保批次一致性与高良率。
LCA30S-48主要应用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的电力电子系统中。典型应用场景包括三相工业电源整流单元、光伏并网逆变器中的直流母线升压电路、车载OBC（车载充电机）及非车载直流充电桩的二次侧整流环节、5G通信基站用高效DC-DC转换器、不间断电源（UPS）中的有源前端整流模块以及各类高频率软开关拓扑如图腾柱无桥PFC。在这些应用中，LCA30S-48凭借其零反向恢复特性，能够大幅降低主开关管的开通损耗，从而允许系统工作在更高频率下，实现小型化磁性元件设计和更高的功率密度。此外，由于其出色的高温性能，也可用于密闭空间或自然冷却条件下的紧凑型电源设计，避免因温升导致的效率下降或器件失效风险。随着国产碳化硅产业链的成熟，该型号也逐步成为新能源、储能、智能电网等领域国产化替代方案中的关键器件之一。
Cree / Wolfspeed C4D30045A
ROHM Semiconductor SCT3045KLGE
Infineon Technologies IDW30S65C
ON Semiconductor FFSH3065A
STMicroelectronics STPSC30M48CW-TR
