FN18N102J500PSG 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合在高效能要求的场景中使用。
这款功率 MOSFET 的额定电压为 100V,最大连续漏极电流可达 18A(取决于散热条件),其优化的设计使得导通损耗和开关损耗均处于较低水平,从而提高了整体系统效率。
型号:FN18N102J500PSG
类型:N沟道功率MOSFET
封装:TO-220
最大漏源电压(V_DSS):100V
最大连续漏极电流(I_D):18A
栅极阈值电压(V_GS(th)):2.1V 至 4V
导通电阻(R_DS(on)):7mΩ(典型值,在 V_GS = 10V 时)
最大功耗(PD):125W
工作温度范围(T_J):-55℃ 至 +175℃
FN18N102J500PSG 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力,能够适应高频应用的需求。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 热稳定性良好,即使在高温环境下也能保持可靠的性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
6. 提供良好的静电防护能力,降低了生产过程中的损坏风险。
这些特性使 FN18N102J500PSG 成为各种工业和消费类电子产品的理想选择。
FN18N102J500PSG 可用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件,支持从低功率到中等功率的多种电机控制方案。
3. 电池保护电路,提供过流保护和快速切换功能。
4. 各种负载开关应用,例如便携式设备中的电源管理模块。
5. LED 驱动器中的功率开关,确保精确的电流调节。
由于其高性能表现和宽泛的工作条件,这款 MOSFET 在汽车电子、家用电器及通信设备等方面也有广泛应用。
IRFZ44N, FQP18N10, STP18NF10