时间：2025/5/24 19:07:15
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FN18N102J500PSG 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合在高效能要求的场景中使用。
这款功率 MOSFET 的额定电压为 100V，最大连续漏极电流可达 18A（取决于散热条件），其优化的设计使得导通损耗和开关损耗均处于较低水平，从而提高了整体系统效率。
型号：FN18N102J500PSG
类型：N沟道功率MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压(V_DSS)：100V
最大连续漏极电流(I_D)：18A
栅极阈值电压(V_GS(th))：2.1V 至 4V
导通电阻(R_DS(on))：7mΩ（典型值，在 V_GS = 10V 时）
最大功耗(PD)：125W
工作温度范围(T_J)：-55℃ 至 +175℃
FN18N102J500PSG 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，能够适应高频应用的需求。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 热稳定性良好，即使在高温环境下也能保持可靠的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 提供良好的静电防护能力，降低了生产过程中的损坏风险。
这些特性使 FN18N102J500PSG 成为各种工业和消费类电子产品的理想选择。
FN18N102J500PSG 可用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件，支持从低功率到中等功率的多种电机控制方案。
3. 电池保护电路，提供过流保护和快速切换功能。
4. 各种负载开关应用，例如便携式设备中的电源管理模块。
5. LED 驱动器中的功率开关，确保精确的电流调节。
由于其高性能表现和宽泛的工作条件，这款 MOSFET 在汽车电子、家用电器及通信设备等方面也有广泛应用。
IRFZ44N, FQP18N10, STP18NF10
