时间：2025/9/20 11:25:21
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LC3664BML-85-TLM是一款由LRC（乐山无线电）生产的P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。该器件主要用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及DC-DC转换器等应用场合。其封装形式为SOT-23（Small Outline Transistor），是一种小型化表面贴装封装，适合高密度PCB布局。LC3664BML-85-TLM的命名中，'LC'代表制造商前缀，'3664'为产品系列编号，'B'表示P沟道类型，'M'可能指代特定的电压/电流等级或版本，'L'表示无铅环保设计，'-85'通常表示卷带包装规格，而'-TLM'则可能为编带方式或特定出货形态标识。该MOSFET在便携式电子产品中广泛应用，因其低功耗特性和高效能表现受到设计工程师青睐。
型号：LC3664BML-85-TLM
通道类型：P沟道
漏源电压(VDS)：-30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：-4.4A (VGS = -10V)
脉冲漏极电流(IDM)：-14A
导通电阻(RDS(on))：45mΩ (VGS = -10V)
导通电阻(RDS(on))：52mΩ (VGS = -4.5V)
阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss)：520pF (VDS=15V, VGS=0V)
输出电容(Coss)：190pF (VDS=15V, VGS=0V)
反向传输电容(Crss)：50pF (VDS=15V, VGS=0V)
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装：SOT-23
LC3664BML-85-TLM采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备优异的电气性能和可靠性，特别适用于对空间和效率要求较高的便携式电子设备。其P沟道结构使得在高端开关应用中无需额外的驱动电路即可实现负载控制，简化了系统设计。该器件的低导通电阻（RDS(on)最低可达45mΩ）显著降低了导通损耗，提高了整体能效，尤其在大电流工作条件下优势明显。此外，由于采用了优化的芯片设计与封装技术，该MOSFET具有良好的热传导能力，能够在高负载下保持稳定运行。
该器件的栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，支持低电压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或5V控制系统，增强了系统的通用性与集成度。同时，其栅源电压最大可承受±20V，提供了足够的安全裕度，防止因瞬态过压导致器件损坏。输入、输出及反向传输电容参数经过优化，在高频开关应用中表现出较低的开关损耗和较快的响应速度，有助于提升DC-DC转换器的工作频率与动态响应能力。
LC3664BML-85-TLM的SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，还具备良好的散热性能，适用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、移动电源等对尺寸敏感的应用场景。器件符合RoHS环保标准，不含铅，满足现代电子产品对绿色环保的要求。此外，该MOSFET经过严格的可靠性测试，包括高温反偏、温度循环、高压蒸煮等，确保在复杂环境下的长期稳定运行。
LC3664BML-85-TLM广泛应用于各类低电压、小功率的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电池供电切换与保护电路，作为高端负载开关用于控制主电源通断，避免系统待机时的漏电流损耗。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件常被用作同步整流或上桥臂开关元件，利用其低导通电阻特性提高转换效率，减少发热。此外，它也适用于过流保护电路、热插拔控制器、电机驱动模块以及各类需要P沟道MOSFET进行电平转换或电源路由的设计。
在消费电子领域，该器件常见于智能手机、平板电脑、智能手表、TWS耳机等产品中，用于屏幕背光控制、摄像头模组供电管理、USB接口电源开关等功能模块。工业控制方面，可用于传感器供电控制、PLC模块中的信号切换等低功耗控制回路。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可应用于汽车电子中的辅助小功率电源管理单元，如车载信息娱乐系统的子电源域控制。总之，凡涉及低电压、中等电流、高效率开关控制的场合，LC3664BML-85-TLM均是一个可靠且经济的选择。
AON7408, SI2301, DMG2301U, FDS6670A, TSM2301N
