类型：肖特基二极管
　　最大正向电流：200mA
　　最大重复峰值反向电压：30V
　　正向电压（If=100mA）：≤0.45V
　　反向漏电流（VR=30V）：≤10μA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOD-123

IN5614DV 的核心优势在于其低正向电压降和快速开关特性。由于采用肖特基势垒结构，该二极管在正向导通时电压降较低（通常在0.45V以下），从而减少了功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有极短的反向恢复时间，通常在纳秒级别，使其适用于高频开关电路。IN5614DV 还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在恶劣的温度环境下稳定工作。其SOD-123封装形式不仅节省空间，还便于自动化贴片生产。
　　另一个显著特点是其反向漏电流较低，在30V反向电压下通常不超过10μA，这使得它在低功耗应用中表现优异。此外，IN5614DV 具有较高的浪涌电流承受能力，能够应对短时间的过载情况，提高了电路的稳定性。

IN5614DV 主要用于需要高效率和快速开关的电子电路中。常见的应用包括DC-DC转换器、电源整流、极性保护电路、高频逆变器、信号整流以及各种便携式电子设备的电源管理模块。由于其低功耗和小型封装，该二极管也广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业自动化系统和汽车电子系统中。例如，在USB充电电路中，IN5614DV 可用于防止电流倒灌；在电池供电设备中，它可以作为电源切换二极管，提高能量利用效率。

1N5819, 1N5817, BAT54, BAS70