时间：2025/9/2 9:39:51
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H9TCNNN8LDMMPR-NYM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备、高性能计算和嵌入式系统设计。它具有高带宽、低电压运行和高集成度的特点，适合用于智能手机、平板电脑、车载系统以及其他需要高效能和低功耗存储的电子设备。
容量：8Gb
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：FBGA
工作电压：1.1V
数据速率：3200Mbps
温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数：186
组织结构：x16
H9TCNNN8LDMMPR-NYM 具备多项先进特性，以满足现代高性能和低功耗应用的需求。首先，该芯片采用LPDDR4技术，支持高达3200Mbps的数据速率，提供出色的内存带宽，有助于提升设备的处理能力和响应速度。其次，其工作电压为1.1V，相比前代LPDDR3产品显著降低了功耗，延长了电池续航时间，特别适用于对能耗敏感的移动设备。
此外，H9TCNNN8LDMMPR-NYM 采用x16的组织结构，支持多Bank和Bank组架构，允许更高效的内存访问和调度。其FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装提供了良好的电气性能和热管理能力，确保在高频率下稳定运行。芯片内部集成有温度传感器，支持自动刷新和自刷新模式，进一步优化功耗和稳定性。
该型号还具备良好的兼容性和可靠性，在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境。其186引脚的封装设计有助于减少PCB布线复杂度，提升系统集成度。综上所述，H9TCNNN8LDMMPR-NYM 是一款性能优越、能效出色的存储解决方案，广泛适用于高端移动设备和嵌入式系统。
H9TCNNN8LDMMPR-NYM 主要应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备。其高带宽和低电压特性使其非常适合用于高端智能手机、平板电脑和可穿戴设备等移动设备，提升设备运行速度并延长电池续航时间。此外，该芯片也广泛用于嵌入式系统，如工业控制、医疗设备、智能终端和边缘计算设备中，以满足这些设备对高效能、低功耗存储的需求。
在车载电子系统中，该型号可应用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）和车载导航系统，提供稳定的内存支持。由于其工业级温度范围的支持，H9TCNNN8LDMMPR-NYM 也适用于户外设备、安防监控系统和物联网（IoT）设备，确保在各种环境条件下可靠运行。总体而言，该芯片是一款多功能、高可靠性的LPDDR4内存解决方案，能够广泛适配多种应用场景。
H9HCNNN8GDMMPR-NYM, H9HPNNL8JDMUFR-NYE
