型号：LC3517AM-10-TE-L
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOP-8
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：9.6A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(IDM)：38A
　　导通电阻(RDS(on))：10mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：13mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：520pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：45pF @ VDS=10V
　　二极管正向电流(IS)：2.5A
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　热阻(θJA)：62℃/W
　　极性：单N沟道
　　安装方式：表面贴装

LC3517AM-10-TE-L采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，典型值仅为10mΩ（在VGS=4.5V条件下），这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。该特性使其特别适用于大电流开关应用，例如同步整流、电机驱动以及电池管理系统中的充放电控制电路。器件的阈值电压范围为0.6V至1.0V，属于逻辑电平兼容型MOSFET，能够直接由3.3V或更低的微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并节省了PCB空间。
　　该MOSFET具有优异的开关性能，输入电容Ciss仅为520pF，在高频开关应用中表现出较小的驱动损耗和快速的响应能力，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源设计。同时，其反向传输电容Crss较低（45pF），有效抑制了米勒效应带来的误触发问题，提升了开关过程中的稳定性和抗干扰能力。器件内部结构经过优化，减小了寄生电感与电阻，进一步降低动态损耗，提高系统能效。
　　LC3517AM-10-TE-L采用SOP-8封装，具备良好的散热性能和机械强度，支持自动贴片工艺，适合大规模生产。该封装形式在引脚布局上通常包含源极共接设计，可通过PCB铺铜实现高效散热，热阻θJA为62℃/W，确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于各类工业与消费电子产品。
　　在可靠性方面，LC3517AM-10-TE-L通过严格的生产测试流程，具备优良的抗静电能力（HBM模型）和耐压能力，可在-55℃到+150℃的宽温度范围内稳定工作，满足严苛环境下的应用需求。其内置体二极管具有2.5A的反向续流能力，可用于感性负载关断时的能量释放路径，避免电压尖峰损坏其他元件。综合来看，LC3517AM-10-TE-L是一款高性能、高性价比的N沟道MOSFET，适用于各类中低电压、中大电流的功率控制场合。

LC3517AM-10-TE-L广泛应用于便携式电子设备中的电源开关与负载切换，例如智能手机、平板电脑、移动电源等产品的电池保护电路和充放电管理模块。在这些系统中，该MOSFET常作为主控开关用于控制电池与系统之间的连接状态，实现过流、过压、短路等异常情况下的快速切断功能，保障设备安全。此外，它也常用于DC-DC降压或升压变换器中作为同步整流管，利用其低RDS(on)特性减少导通损耗，提高转换效率，延长电池续航时间。
　　在LED驱动电路中，LC3517AM-10-TE-L可用于恒流源的开关控制，实现PWM调光功能。由于其快速的开关响应能力和低导通压降，能够有效减少发热并提升调光精度。在电机驱动领域，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，该器件可作为低端开关使用，提供可靠的电流路径，并支持快速启停与方向切换。
　　工业控制板、智能家居网关、IoT终端设备中常用的电源管理单元也普遍采用LC3517AM-10-TE-L进行多路电源域的使能控制，例如为主芯片、传感器、无线模块分别供电并在待机状态下关闭非必要电源以降低功耗。此外，该器件还可用于热插拔电路设计，防止带电插拔时产生浪涌电流损坏系统。
　　由于其SOP-8封装易于焊接和维修，且具备良好的电气性能和成本优势，LC3517AM-10-TE-L已成为许多国产电源方案中的主流选择之一，尤其在替代进口同类产品方面表现出色，广泛服务于消费电子、通信、工业自动化等多个行业。

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