时间：2025/9/1 23:36:05
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H9HKNNNCRMMUER 是一款由SK Hynix（海力士）生产的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和高带宽应用设计。H9HKNNNCRMMUER 采用先进的封装技术和DRAM架构，提供高速数据传输、低功耗运行和紧凑的物理尺寸，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对性能和功耗有严格要求的设备。
容量：8GB
类型：LPDDR4 SDRAM
封装：153-ball BGA
电压：1.1V / 1.8V
频率：3200Mbps
带宽：25.6GB/s
工作温度：-40°C 至 +85°C
尺寸：10mm x 12mm x 0.8mm
H9HKNNNCRMMUER 是一款高性能、低功耗的LPDDR4内存芯片，采用先进的制造工艺和封装技术，具备出色的稳定性和可靠性。其主要特性包括高速数据传输能力、低电压运行、紧凑的封装尺寸以及广泛的温度适应能力。
首先，该芯片的数据传输速率高达3200Mbps，能够提供高达25.6GB/s的带宽，满足高端移动设备和嵌入式系统对数据处理能力的高要求。低电压设计（1.1V / 1.8V）有助于降低功耗，延长设备电池寿命，同时减少热量产生，提高系统稳定性。
该芯片采用153-ball BGA（球栅阵列）封装，尺寸仅为10mm x 12mm x 0.8mm，适用于空间受限的便携式设备。其紧凑的封装形式不仅节省PCB空间，还提高了系统集成度。此外，H9HKNNNCRMMUER 的工作温度范围为-40°C至+85°C，可在各种恶劣环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。
在可靠性方面，该DRAM芯片具备出色的抗干扰能力和数据保持能力，支持多种低功耗模式（如预充电、自刷新等），进一步优化系统能效。其高集成度和成熟的设计使其成为移动设备、高端嵌入式系统、汽车电子等应用的理想选择。
H9HKNNNCRMMUER 主要用于需要高性能内存的移动设备和嵌入式系统。常见应用包括旗舰级智能手机、平板电脑、可穿戴设备、车载信息娱乐系统、工业控制设备、AIoT边缘计算设备以及高性能嵌入式计算平台。
H9HKNNNCRMMUER 可以使用 H9HPNNNCRMMUER、H9HQNNNCRMMUER、H9HNNNNCRMMUER 等 LPDDR4 内存芯片进行替代，具体取决于所需的容量、速度和封装形式。
