IXYT80N90C3 时间：2025/8/6 6:24:43 阅读：32

IXYT80N90C3是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅工艺，使其在高电压和高电流条件下具有优异的性能和效率。IXYT80N90C3的漏源电压（VDS）为900V，漏极电流（ID）为80A，适用于需要高功率密度和高可靠性的应用。

参数

漏源电压(VDS)：900V
　　漏极电流(ID)：80A
　　栅极电压(VGS)：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247AC
　　导通电阻(RDS(on))：约0.115Ω（典型值）
　　最大功率耗散(PD)：300W

特性

IXYT80N90C3具备多项优异特性，适用于高要求的电力电子应用。首先，其高耐压特性（900V VDS）使其适用于高电压直流-直流转换器、电机驱动器和工业电源等应用。其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）较低，约为0.115Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力，可支持高达80A的连续漏极电流，满足高功率需求。
　　IXYT80N90C3采用了TO-247AC封装，具有良好的热管理和散热性能，适用于高功率密度的设计。其栅极电压范围为±20V，确保在不同驱动条件下仍能稳定工作。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力和雪崩能量等级，提高了器件的可靠性和耐用性。
　　另外，IXYT80N90C3在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。由于其优异的动态性能，该器件广泛应用于逆变器、开关电源（SMPS）、太阳能逆变器和焊接设备等领域。

应用

IXYT80N90C3主要应用于需要高功率、高电压和高频率操作的场合。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和驱动器、工业自动化设备、太阳能逆变器、焊接电源、UPS不间断电源系统以及高功率LED驱动器。由于其优异的导通特性和高耐压能力，该MOSFET也非常适合用于谐振变换器和ZVS（零电压开关）拓扑结构，以实现更高的转换效率和更小的体积设计。