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LBZX84B9V1LT1G 发布时间 时间:2025/8/13 15:44:34 查看 阅读:19

LBZX84B9V1LT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装(SOT-23)齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压应用。该器件具有精确的电压调节能力和低动态阻抗特性,适合在低功耗电路中使用。LBZX84B9V1LT1G 的标称齐纳电压为9.1V,在测试电流条件下能够提供稳定的电压基准,广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路以及电压监控系统。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOT-23
  标称齐纳电压:9.1V
  最大齐纳电流:200mA
  最大耗散功率:300mW
  最大反向漏电流(VR):100nA(@ VZ - 5V)
  动态阻抗(Zzt):约 40Ω(@ IZ = 5mA)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

LBZX84B9V1LT1G 是一款高精度、低功耗的齐纳二极管,具备出色的电压稳定性。其标称齐纳电压为9.1V,在标准测试条件下(如IZ = 5mA)能提供非常精确的电压参考,适合用于需要稳定电压源的电路设计。
  该器件采用SOT-23封装,体积小巧,便于在空间受限的PCB布局中使用,同时具备良好的热性能和机械稳定性。
  其最大齐纳电流为200mA,允许在中等功率条件下运行,适用于多种电压调节和稳压电路。最大功耗为300mW,确保在小型封装下仍能保持良好的散热性能。
  LBZX84B9V1LT1G 的动态阻抗较低,约为40Ω,这有助于在负载变化时维持输出电压的稳定性,减少电压波动对电路性能的影响。
  此外,该器件的反向漏电流非常低,在反向电压低于齐纳击穿电压时,漏电流通常小于100nA,这使其在低功耗和电池供电系统中表现优异。
  工作温度范围从-55°C到+150°C,适用于广泛的工业和汽车电子应用环境,具备良好的温度稳定性和可靠性。

应用

LBZX84B9V1LT1G 主要用于各种电压调节和参考电压电路中。它常被用作精密电压基准源,为运算放大器、比较器、ADC/DAC等模拟电路提供稳定的参考电压。
  在电源管理电路中,该齐纳二极管可用于构建简单的稳压电路,保护后续电路免受过压或波动电压的影响。
  此外,LBZX84B9V1LT1G 也广泛应用于电池供电设备、便携式电子产品、工业控制系统以及汽车电子模块中,提供稳定可靠的电压基准和保护功能。
  由于其低漏电流和高稳定性,该器件也适合用于传感器接口电路、电压监控系统以及嵌入式系统的电源调节部分。

替代型号

LMVZ9V1, BZX84C9V1, ZMM9V1, MM3Z9V1

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