KDZVTR3.3B 时间：2025/11/8 7:22:04 阅读：8

KDZVTR3.3B是一款由罗姆（ROHM）公司生产的表面贴装齐纳二极管，专为低电压、高精度的电压箝位和参考电压应用设计。该器件采用小型SOD-123FL封装，具有较小的尺寸和良好的热稳定性，适用于空间受限的便携式电子设备。其标称齐纳电压为3.3V，能够在微小电流下实现稳定的电压调节，因此常用于电源管理、信号电平转换、过压保护以及噪声抑制等场景。
　　KDZVTR3.3B属于ROHM的KDZV系列，该系列以高精度、低动态阻抗和优异的温度特性著称。该器件在生产过程中经过严格的筛选和测试，确保了批次间的一致性和长期可靠性。其结构基于硅PN结反向击穿原理，在达到指定的齐纳电压后能够稳定导通，从而维持负载两端的电压恒定。此外，该二极管具备较低的漏电流和快速响应能力，适合高频开关环境下的瞬态电压抑制需求。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-123FL
　　齐纳电压（Vz）：3.3V @ Iz = 5mA
　　容差：±2%
　　最大耗散功率：500mW
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大峰值脉冲电流：1A
　　动态阻抗（Zzt）：≤20Ω @ 5mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向漏电流（Ir）：≤1μA @ Vr = 1V

特性

KDZVTR3.3B具备出色的电压稳定性和温度补偿特性，其核心优势在于±2%的高精度电压容差，这使得它在需要精确参考电压的应用中表现优异。该器件采用了先进的制造工艺，优化了PN结的掺杂分布，有效降低了齐纳击穿过程中的噪声水平，并提升了长期使用的电压漂移稳定性。在温度特性方面，KDZVTR3.3B通过材料选择与结构设计实现了较低的电压温度系数，在-55°C到+150°C的工作范围内保持良好的电压一致性，避免因环境变化导致系统性能波动。
　　该齐纳二极管具有低动态阻抗（Zzt ≤ 20Ω），这意味着即使负载电流发生快速变化，输出电压仍能保持相对稳定，特别适用于对电源纹波敏感的模拟电路或ADC参考源。同时，其500mW的最大功耗允许在适度电流条件下连续运行，结合SOD-123FL封装的高效散热设计，可在紧凑布局中提供可靠的热管理。此外，器件的反向漏电流极低（≤1μA @ 1V），有助于减少待机状态下的能耗，提升整体能效，尤其适合电池供电设备。
　　SOD-123FL封装不仅体积小巧（约2.0mm x 1.25mm x 1.0mm），还具备良好的机械强度和焊接可靠性，支持自动化贴片生产，满足现代电子产品高密度组装的需求。ROHM对该系列产品实施严格的质量控制，符合AEC-Q101车规级认证的部分要求，可用于汽车电子中的非关键性电路保护。整体而言，KDZVTR3.3B以其高精度、小尺寸和高可靠性，成为消费类电子、通信模块、工业控制及汽车辅助系统的理想选择之一。

应用

KDZVTR3.3B广泛应用于各类需要稳定3.3V参考或箝位电压的电子电路中。常见用途包括为低压逻辑电路提供电平基准，例如在MCU I/O端口保护、ADC/DAC参考电压生成、传感器信号调理等场合中作为精密电压源使用。由于其快速响应特性和低动态阻抗，也常被用于抑制ESD（静电放电）和瞬态电压尖峰，保护敏感元件免受损坏，典型应用场景包括USB接口、HDMI线路、音频输入/输出通道等高速信号路径的过压防护。
　　在电源管理系统中，KDZVTR3.3B可用于LDO稳压器的反馈网络，协助设定输出电压；也可作为电压检测电路的一部分，实现欠压或过压监控功能。在便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该器件凭借其微型封装和低功耗特性，被大量用于电池供电单元的电压校准与保护回路。此外，在工业自动化控制系统、智能家居网关、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模组）中，该齐纳二极管用于确保数字信号完整性，防止因电源波动引发误操作。
　　汽车电子领域中，尽管不用于主安全系统，但KDZVTR3.3B仍可用于车载信息娱乐系统、车内照明控制、传感器接口等非动力总成相关的子系统中，提供可靠的电压钳位功能。其宽温工作范围和高可靠性使其适应复杂的车载环境。此外，在医疗仪器、测试测量设备等对精度要求较高的应用中，该器件亦可作为临时参考源或保护元件使用。