时间：2025/9/3 14:42:00
阅读：10
2N5108是一款NPN型高频晶体管，常用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路中。这款晶体管设计用于高频应用，具备良好的增益和频率响应特性，适用于通信设备、无线模块和各类射频电路。其封装形式通常为TO-92，具有良好的稳定性和可靠性。
晶体管类型：NPN
集电极-发射极电压（Vceo）：30V
集电极-基极电压（Vcbo）：30V
发射极-基极电压（Vebo）：5V
集电极电流（Ic）：100mA
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
过渡频率（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：在Ic=2mA时，典型值为110（具体数值根据等级不同可能有所变化）
2N5108晶体管具有优异的高频性能，适用于RF和IF放大器应用。其100MHz的过渡频率（fT）使其能够在高频环境下保持良好的增益特性。该晶体管的NPN结构提供了较高的电流放大能力，并且在低电流下仍能保持稳定的工作性能。
此外，2N5108采用TO-92封装，具备良好的热稳定性和机械强度，适用于各种电子设备的组装。该封装形式也便于手工焊接和自动化装配，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
在电气特性方面，2N5108的最大集电极电流为100mA，集电极-发射极电压最大为30V，能够满足中功率放大电路的需求。其电流增益（hFE）在2mA工作电流下可达110左右，具有良好的信号放大能力。
2N5108还具备良好的噪声性能，适合用于低噪声前置放大器设计。其高频响应特性使其能够有效放大射频信号，广泛应用于无线通信、广播接收设备和各类射频前端电路。
2N5108主要应用于射频和中频放大器电路，适用于无线通信设备、广播接收器、射频识别（RFID）模块等高频电子系统。该晶体管还可用于低噪声放大器、振荡器和射频混频器等电路设计，是高频电子设备中常用的通用型晶体管之一。
2N3904, 2N2222, BC547
