时间：2025/8/13 4:22:04
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LBZX84B2V2LT1G是一款由ONSEMI（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管以其高性能和可靠性广泛应用于各种电子电路中，特别是在需要高频和低噪声放大的场景中表现优异。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：30 V
最大基极电流：20 mA
最大耗散功率：300 mW
频率：250 MHz
增益带宽积：100 MHz
封装类型：SOT-23
LBZX84B2V2LT1G具有优异的高频性能，适合用于高频放大器和射频电路。
其低噪声特性使其在音频放大和信号处理应用中表现出色。
该晶体管的封装形式为SOT-23，体积小巧，适合在高密度电路板设计中使用。
在温度稳定性方面，LBZX84B2V2LT1G表现出良好的热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
此外，该晶体管的制造工艺成熟，具有较高的可靠性和一致性，适合大规模生产和长期使用。
LBZX84B2V2LT1G广泛应用于无线通信设备中的射频放大电路。
在音频设备中，它用于前置放大器和信号增强电路。
该晶体管还常用于电源管理和开关电路，提供高效的电流控制。
此外，它也适用于各种传感器电路，作为信号放大和处理的关键元件。
在工业自动化和控制系统中，LBZX84B2V2LT1G用于实现精确的信号传输和处理。
BC847B, 2N3904, PN2222A
