时间：2025/8/6 4:23:51
阅读：14
IXFP36N20X3M是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高功率应用。这款MOSFET具有低导通电阻和高耐压特性，适用于工业控制、电源转换和汽车电子等领域的高效能需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：36A
最大漏-源电压（VDS）：200V
导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷（Qg）：115nC
功率耗散（PD）：250W
IXFP36N20X3M具有低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力使其适用于高电压工作环境，同时确保稳定性和可靠性。
该器件采用了先进的沟槽技术，提供优异的热性能和电流处理能力，适用于高负载应用。此外，IXFP36N20X3M的封装设计优化了散热性能，使其在高功率密度应用中表现优异。
此MOSFET具有良好的短路耐受性和过温保护功能，确保在恶劣工作条件下依然能保持稳定运行。其栅极驱动要求较低，简化了驱动电路设计，降低了整体系统成本。
此外，IXFP36N20X3M符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子设备制造。
IXFP36N20X3M广泛应用于工业电源、不间断电源（UPS）、电动车辆充电系统、太阳能逆变器以及电机控制设备等高功率电子系统中。
在工业自动化控制中，该器件可作为高效能开关元件，用于变频器、伺服驱动器和电源模块。
在汽车电子领域，IXFP36N20X3M可用于电动汽车的DC-DC转换器、车载充电器和电池管理系统，提供高可靠性的功率控制解决方案。
此外，该MOSFET也适用于家用电器中的高功率负载控制，如电磁炉、洗衣机和空调系统中的变频控制模块。
IXFN36N20T, IRFP4668, STW34NB20, APT36GT200BD
