您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFX140N30P

IXFX140N30P 发布时间 时间:2023/3/6 14:16:25 查看 阅读:259

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:Polar?


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:Polar?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:24 毫欧 @ 500mA, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):300V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:140A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 8mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:185nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :14800pF @ 25V

    功率 - 最大:1040W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:PLUS247?-3

    包装:管件

    供应商设备封装:*



资料

厂商
IXYS

IXFX140N30P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFX140N30P产品

IXFX140N30P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C140A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 70A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs185nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds14800pF @ 25V
  • 功率 - 最大1040W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件