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LBZT52MB9V1T1G 发布时间 时间:2025/8/13 1:35:11 查看 阅读:28

LBZT52MB9V1T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装(SMT)齐纳二极管(Zener Diode),广泛用于电压调节、参考电压源以及电路保护等应用。该器件采用 SOD-523 封装,具有体积小、响应快、功耗低等特点,适用于便携式设备、消费电子产品和工业控制系统等场景。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOD-523
  额定功率:200 mW
  齐纳电压:9.1 V
  齐纳电流:5 mA
  最大反向漏电流:100 nA @ VR=5.5 V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

LBZT52MB9V1T1G 齐纳二极管具备良好的电压稳定性和温度稳定性,能够在宽温度范围内保持精确的齐纳电压。其低动态阻抗有助于在负载变化时维持稳定的电压输出,适用于需要高精度参考电压的应用。此外,该器件的低反向漏电流特性使其在低功耗系统中表现出色,尤其适合电池供电设备使用。SOD-523 封装不仅节省空间,还便于自动化贴片生产,提高组装效率。
  该器件的齐纳电压公差为 ±5%,在标准工作条件下能够提供可靠的电压参考。其快速响应时间确保在瞬态电压变化时迅速稳定电压,有效保护后级电路不受损害。LBZT52MB9V1T1G 的高可靠性使其在汽车电子、通信设备和传感器系统中均有广泛应用。

应用

LBZT52MB9V1T1G 主要用于电源管理电路中的电压调节、参考电压源、过压保护电路以及模拟电路中的偏置电压设置。其典型应用包括但不限于:便携式电子设备中的稳压电路、电池管理系统、工业控制系统中的传感器信号调节、通信设备中的参考电压源以及消费类电子产品中的电压保护电路。

替代型号

BZT52B9V, MMBZ5239B, BZX84C9V1

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