时间：2025/9/1 9:19:58
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IS43TR16128C-125KBL是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗的动态随机存取存储器（DRAM），属于异步SRAM兼容的DRAM（Pseudostatic RAM, PSRAM）类别。该芯片具备16位数据宽度，存储容量为128Mb（16M x 8或8M x 16），适用于需要中等容量、高速访问的嵌入式系统、工业控制、通信设备和消费类电子产品。该芯片采用CMOS工艺制造，工作电压为3.3V，具有低功耗待机模式，适合对功耗敏感的应用场景。
类型：DRAM（Pseudostatic RAM）
容量：128Mb
组织方式：8M x 16 / 16M x 8
数据宽度：16位
电压：3.3V
访问时间：12ns
封装：54引脚 TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
IS43TR16128C-125KBL具备多项优良特性，包括高速访问能力、低功耗设计以及兼容异步SRAM的接口。其访问时间仅为12ns，使得该芯片能够满足高速数据存取需求，适用于对性能要求较高的系统设计。此外，该芯片支持低功耗待机模式，在不使用时可显著降低功耗，适用于电池供电设备或对能效有严格要求的应用。IS43TR16128C-125KBL的接口设计与标准异步SRAM兼容，使得系统设计者无需更改控制器逻辑即可实现替代，从而简化了系统升级和维护。该芯片还支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在不连续读写的情况下依然能够保持稳定。54引脚TSOP封装提供了良好的热性能和空间利用率，适用于紧凑型电路设计。
该芯片广泛应用于需要中等容量、高速缓存的嵌入式系统，如网络设备、工业控制模块、打印机和扫描仪、手持设备、医疗仪器和多媒体设备等。其高速访问和低功耗特性也使其成为通信模块、图像处理单元和智能卡读写器等领域的理想选择。
IS43SR16128C-125KBL，IS43TR16256C-125KBL，IS42S16128C-125
