时间：2025/10/11 8:45:49
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BM03B-APSHSS-ETFT(LF)(SN) 是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的光耦继电器驱动器芯片，常用于隔离式信号传输和驱动应用中。该器件属于其APS系列的一部分，专为高可靠性、低功耗和高速响应的工业控制与电源管理系统设计。BM03B-APSHSS-ETFT采用小型化表面贴装封装，适用于对空间要求严格的现代电子设备。该芯片内部集成了光电二极管阵列、高增益放大电路以及输出驱动级，能够直接驱动MOSFET或IGBT等功率开关器件，广泛应用于开关电源、逆变器、电机控制和DC-DC转换器中。其“LF”后缀表示产品符合无铅（Lead-Free）环保标准，“SN”通常代表卷带包装形式，适合自动化贴片生产流程。该器件具备良好的电气隔离性能和抗噪声能力，能够在恶劣电磁环境中稳定工作。
型号：BM03B-APSHSS-ETFT(LF)(SN)
制造商：ROHM Semiconductor
封装类型：SSOP
引脚数：8
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
最大供电电压：5.5V
典型输入正向电流：5mA
输出饱和电压：≤0.4V（典型值）
传播延迟时间：≤1μs
隔离电压：2500VRMS（最小值）
上升/下降时间：≤0.8μs
静态电流：≤1mA
输出电流驱动能力：±15mA
BM03B-APSHSS-ETFT(LF)(SN) 具备优异的电气隔离性能，采用先进的光耦合技术实现输入与输出之间的完全电绝缘，有效防止高压侧对低压控制电路的干扰，提升系统安全性。其内部集成的光电探测器具有高灵敏度，在低输入电流下即可可靠触发，支持节能型设计。该芯片内置噪声滤波电路，可有效抑制因快速开关动作引起的瞬态干扰，确保在高频开关电源或逆变器中稳定运行。
该器件拥有快速的响应速度，传播延迟时间不超过1微秒，上升和下降时间均控制在0.8微秒以内，满足大多数高速数字隔离应用的需求。其输出级采用图腾柱结构，具备较强的拉电流和灌电流能力（可达±15mA），可直接驱动功率MOSFET栅极，减少外围元件数量，简化PCB布局。
BM03B-APSHSS-ETFT(LF)(SN) 支持宽温度范围工作（-40°C至+125°C），适应严苛工业环境下的长期运行。其SSOP-8封装体积小巧，便于在高密度电路板上安装，并兼容自动贴片工艺，有利于大规模生产。此外，该器件通过了UL、CSA和VDE等国际安全认证，符合工业级隔离器件的标准要求，适用于需要功能隔离的安全关键系统。
低功耗设计使其在待机状态下静态电流低于1mA，有助于提高整体系统的能效表现。同时，该芯片具有良好的共模瞬态抗扰度（CMTI），通常大于15kV/μs，能够在高dV/dt环境下保持信号完整性，避免误触发。综合来看，该器件在性能、可靠性与集成度之间实现了良好平衡，是替代传统光耦的理想选择之一。
主要用于开关电源中的反馈控制回路隔离，实现初级侧与次级侧之间的信号传输；在DC-DC转换器中作为PWM信号隔离驱动单元，确保控制信号准确传递；广泛应用于光伏逆变器、UPS不间断电源、电动汽车车载充电机等电力电子设备中，用于隔离驱动IGBT或SiC MOSFET模块；也可用于工业PLC控制系统、电机驱动器和智能电表中，提供可靠的数字信号隔离接口；此外，在医疗电子设备和测试测量仪器中，因其具备高隔离电压和低泄漏电流特性，可用于保障操作人员安全的功能性隔离电路设计。
BM03B-APSHSL-ETFT(LF)(SN)
