类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-523
　　齐纳电压（Vz）：4.7V
　　最大齐纳电流（Izmax）：200mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大反向漏电流（Ir）：100nA（@ Vr=1V）
　　齐纳阻抗（Zzt）：90Ω（@ Iz=20mA）

LBZT52MB4V7T1G齐纳二极管具有良好的电压稳定性和温度系数，确保在各种工作条件下提供精确的参考电压。其低动态阻抗和快速响应时间使其在电压调节和稳压电路中表现出色。此外，该器件采用小型SOD-523封装，节省空间，适用于高密度PCB布局。其高可靠性和长寿命使其广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子系统。
　　该齐纳二极管的制造工艺采用了先进的硅扩散技术，保证了良好的电气性能和稳定性。其封装材料符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺。在正常工作条件下，LBZT52MB4V7T1G可以提供稳定的4.7V参考电压，适用于各种模拟和数字电路中的电压基准需求。此外，该器件具有较低的温度漂移特性，能够在不同环境温度下保持稳定的电压输出，适用于高精度测量设备和电源管理系统。

LBZT52MB4V7T1G广泛应用于各类电子设备中的电压参考和调节电路。典型应用包括便携式电子设备的电源管理、模拟电路的基准电压源、电池供电设备的稳压电路、工业控制系统的参考电压源、汽车电子系统的电压调节以及各类传感器电路中的电压基准。此外，该器件也常用于A/D转换器的参考电压输入、运算放大器的偏置电压设定以及各类DC-DC转换器中的反馈电压检测电路。

MMSZ4735A-7-F, BZV49-C47, BZX84-C4V7