晶体管类型：NPN/PNP 组合
　　集电极-发射极电压（Vceo）：100V
　　集电极最大电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　电流增益（hFE）：最高可达 800
　　封装类型：SOT-56F
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

RB521S-30 (C) 晶体管具有多项优异特性，使其适用于多种电子电路设计。首先，其 Vceo 电压达到 100V，具备较高的耐压能力，适合用于中高压开关应用。其次，晶体管的最大集电极电流为 100mA，足以满足一般信号放大和低功耗开关需求。此外，RB521S-30 的 hFE 值高达 800，意味着其具备出色的电流放大能力，可用于高增益放大电路。该晶体管的功耗为 200mW，具有良好的热稳定性和可靠性。RB521S-30 采用 SOT-56F 小型封装，便于在空间受限的 PCB 上安装，同时其工作温度范围广泛（-55°C 至 +150°C），适用于各种工业环境。
　　RB521S-30 还具备较低的饱和电压（Vce_sat），有助于减少能量损耗，提高电路效率。此外，其基极-发射极电压（Vbe）在额定电流下约为 0.7V，符合通用晶体管的驱动特性，便于与其他电路元件兼容。晶体管内部结构优化，确保了高频性能良好，适用于音频放大和射频（RF）切换应用。RB521S-30 在设计上兼顾了性能与稳定性，是许多电子设备中的理想选择。

RB521S-30 (C) 广泛应用于各类电子设备中，尤其适合用于小功率开关和信号放大电路。例如，在音频放大器中，它可作为前置放大器级，以提高信号增益。在数字电路中，RB521S-30 可用作逻辑门的驱动器或电平转换器。此外，该晶体管也常用于传感器接口电路、继电器驱动、LED 驱动和电源管理模块。由于其封装小巧且性能稳定，RB521S-30 还适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、穿戴设备和无线通信模块。

BC847系列, 2N3904/2N3906组合, MMBT3904/ MMBT3906