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LBZT52MB4V3T1G 发布时间 时间:2025/8/13 4:17:43 查看 阅读:21

LBZT52MB4V3T1G 是一种表面贴装(SMT)封装的齐纳二极管(Zener Diode),由ONSEMI(安森美半导体)制造。该器件主要用于电压参考、电压调节以及电路保护应用。齐纳二极管是一种特殊的二极管,可以在反向击穿区域工作而不受损坏,从而提供稳定的电压参考。LBZT52MB4V3T1G 的标称齐纳电压为4.3V,在一定的反向电流下可以保持相对稳定的电压输出。该器件采用SOD-123封装,适用于紧凑型电子设备和自动化装配工艺。

参数

类型:齐纳二极管
  制造商:ONSEMI
  标称齐纳电压:4.3V(在测试电流下)
  最大齐纳电压:4.51V(在Iz条件下)
  最小齐纳电压:4.09V(在Iz条件下)
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOD-123(表面贴装)
  反向电流(Iz):20mA
  最大齐纳阻抗(Zzt):90Ω
  漏电流(Ir):100nA(最大)
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

高稳定性:LBZT52MB4V3T1G 在额定电流范围内具有良好的电压稳定性,适合用作精密电压参考源。其齐纳电压随温度变化较小,适用于需要高稳定性的电路设计。
  低动态阻抗:该器件的动态阻抗较低,有助于减少电压波动并提高稳压性能,特别是在负载变化较大的情况下。
  紧凑封装:采用SOD-123封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,并且支持自动化贴片工艺,提高了生产效率。
  宽工作温度范围:能够在-55°C至150°C的极端温度下正常工作,适用于工业控制、汽车电子和户外设备等严苛环境下的应用。
  高可靠性:该齐纳二极管具有良好的长期稳定性,适合用于关键电路的电压参考和保护功能,如电源管理模块、仪表测量电路和电池管理系统。
  低漏电流:在反向截止状态下,漏电流非常低(最大100nA),减少了对电路其他部分的干扰,提高了系统的能效。

应用

电压参考:LBZT52MB4V3T1G 可作为高精度电压基准源,用于运算放大器、ADC/DAC参考电压、电源监控电路等场合。
  电压调节:在低压直流电源系统中,可作为简单的稳压元件,用于稳定输出电压,防止电压波动对负载造成影响。
  过压保护:可用于电路的过压保护设计,限制电压在安全范围内,防止后级电路因电压过高而损坏。
  信号调节:在模拟信号处理电路中,可用于限幅、电平移位或信号整形等用途。
  电池管理系统:在电池充放电控制电路中,可用于监测电池电压,确保其工作在安全范围内。
  工业控制与汽车电子:由于其宽温度范围和高可靠性,广泛应用于工业控制系统、车载电子设备、传感器模块等需要稳定电压参考的场合。

替代型号

MMBZ5243B, BZX84J4V3, ZMM4V3, 1N4735A

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